[发明专利]固态摄像装置、电子设备以及固态摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201410260947.6 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN103985726A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 菊地晃司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种固态摄像装置,包括:
光电转换器,形成在基板上;
布线部分,形成在所述光电转换器上方并由多层布线构成;
硅氧化物,所述布线部分的所述多层布线嵌入所述硅氧化物中;以及
绝缘部分,在所述光电转换器的上方,从所述布线部分上方的位置到最下层布线的位置嵌入所述硅氧化物中,所述绝缘部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中所述绝缘部分由选自由氮化硅、氮氧化硅、氧化铪和氧化钽组成的组的材料制成。
3.一种电子设备,包括:
固态摄像装置,输出相应于所接收的光量的电信号;以及
信号处理装置,处理从所述固态摄像装置输出的所述电信号,
其中所述固态摄像装置包括:
光电转换器,形成在基板上;
布线部分,形成在所述光电转换器上方并由多层布线构成;
硅氧化物,所述布线部分的所述多层布线嵌入所述硅氧化物中;以及
绝缘部分,在所述光电转换器上方,从所述布线部分上方的位置到最下层布线的位置嵌入所述硅氧化物中,所述绝缘部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。
4.一种固态摄像装置的制造方法,包括:
在基板上形成光电转换器;
在所述基板上形成驱动元件,在所述驱动元件上形成绝缘膜,以及平坦化形成的表面;
通过以下步骤形成具有波导部分的布线层:在所述绝缘膜上形成嵌入层间绝缘膜中的布线,形成设置在所述层间绝缘膜的所述光电转换器上方的部分中的凹入部分,以及形成通过在所述凹入部分中嵌入折射率大于硅氧化物的折射率的材料而形成的所述波导部分;以及
重复执行所述具有波导部分的布线层的形成,从而通过形成所述多层布线和连接多个波导部分来形成光波导。
5.根据权利要求4所述的固态摄像装置的制造方法,其中嵌入所述凹入部分的所述材料选自由氮化硅、氮氧化硅、氧化铪和氧化钽组成的组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410260947.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的