[发明专利]一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法

权利要求书

1.一种AMOLED显示器件，其特征在于，所述显示器件包括由若干个像素单元构成的像素阵列，且每个所述像素单元均由至少四个子像素构成，并通过调配所述子像素，使所述像素单元发出所需的光；

其中，每个所述子像素中均设置有共振腔调整层，且任意一个所述子像素的共振腔调整层的厚度与其余子像素的共振腔调整层的厚度均不相同；

所述子像素包括纯蓝色子像素、纯红色子像素、纯绿色子像素、淡蓝色子像素和橘色子像素；

每个所述像素单元中，均以所述纯绿色子像素为中心，环绕该所述纯绿色子像素设置所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素；

其中，通过共用所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素形成所述像素单元。

2.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述纯绿色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素按照瓦矩阵像素排列方式进行排列，形成所述像素阵列。

3.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述橘色子像素的共振腔调整层的厚度为160纳米～170纳米，所述淡蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为100纳米～110纳米。

4.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述纯蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为80纳米～90纳米，所述纯红色子像素的共振腔调整层的厚度为180纳米～190纳米。

5.一种子像素结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有反射阳极和空穴注入层的基底；

于该空穴注入层的上表面形成一共振腔调整层；

于所述共振腔调整层上制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和半透明阴极，进而形成纯蓝色子像素结构、纯红色子像素结构、纯绿色子像素结构、淡蓝色子像素结构和橘色子像素结构；

其中，所述橘色子像素结构中的共振腔调整层的厚度小于所述纯红色子像素结构中的共振腔调整层的厚度，所述淡蓝色子像素结构中的共振腔调整层的厚度大于所述纯蓝色子像素结构中的共振腔调整层的厚度。

6.如权利要求5所述的子像素结构的制备方法，其特征在于，所述发光层为蓝光发光层、红光发光层或绿光发光层。

7.如权利要求6所述的子像素结构的制备方法，其特征在于，

所述淡蓝色子像素结构中的发光层为所述蓝光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为100纳米～110纳米；

所述蓝色子像素结构中的发光层为所述蓝光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为80纳米～90纳米。

8.如权利要求6所述的子像素结构的制备方法，其特征在于，所述橘色子像素结构中的所述发光层为红光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为160纳米～170纳米；

所述红色子像素结构中的所述发光层为红光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为180纳米～190纳米。