[发明专利]一种发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于：包含有：

基板；

N型半导体层，设置于该基板之上；

发光层，设置于部分该N型半导体层之上；

P型半导体层，设置于该发光层之上；

透明导电层，设置于部分该P型半导体层之上； 

第一电极，设置于该透明导电层之上；

第二电极，设置于该N型半导体层之上；及

第一焊垫反射层，设置于该透明导电层与该第一电极之间，且该第一电极的剖面一侧边与该第一焊垫反射层的相同剖面一侧边对齐。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：该第一焊垫反射层自透明导电层上，延透明导电层的剖面侧边，延伸至P型半导体层相同剖面顶边上。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于：该第一电极的剖面侧边与该第一焊垫反射层的相同剖面侧边对齐。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：还包含第二焊垫反射层，设置于该N型半导体层与该第二电极之间。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于：该第二电极的剖面侧边与该第二焊垫反射层的相同剖面侧边对齐。

6.如权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于：该第二焊垫反射层自第二电极的剖面底边延伸至与发光层相对的第二电极相同剖面侧边设置为L字型。

7.一种发光二极管结构，其特征在于：包含有：

基板；

N型半导体层，设置于该基板之上；

发光层，设置于部分该N型半导体层之上；

P型半导体层，设置于该发光层之上；

透明导电层，设置于部分该P型半导体层之上； 

第一电极，设置于该透明导电层之上；

第二电极，设置于该N型半导体层之上；及

第一焊垫反射层，设置于该透明导电层与该第一电极之间，且该第一焊垫反射层自透明导电层上，延透明导电层的剖面侧边，延伸至P型半导体层相同剖面顶边上。

8.如权利要求7所述的发光二极管结构，其特征在于：还包含第二焊垫反射层，设置于该N型半导体层与该第二电极之间。

9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于：该第二电极的剖面侧边与该第二焊垫反射层的相同剖面侧边对齐。

10.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于：该第二焊垫反射层自第二电极的剖面底边延伸至与发光层相对的第二电极相同剖面侧边设置为L字型。

11.一种发光二极管结构，其特征在于：包含有：

基板；

N型半导体层，设置于该基板之上；

发光层，设置于部分该N型半导体层之上；

P型半导体层，设置于该发光层之上；

透明导电层，设置于部分该P型半导体层之上； 

第一电极，设置于该透明导电层之上；

第二电极，设置于该N型半导体层之上；及

第二焊垫反射层，设置于该N型半导体层与该第二电极之间，且该第二电极的剖面侧边与该第二焊垫反射层的相同剖面侧边对齐。

12.如权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于：该第二焊垫反射层自第二电极的剖面底边延伸至与发光层相对的第二电极相同剖面侧边设置为L字型。

13.如权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于：还包含第一焊垫反射层，设置于该透明导电层与该第一电极之间。

14.如权利要求13所述的发光二极管结构，其特征在于：该第一电极的剖面侧边与该第一焊垫反射层的相同剖面侧边对齐。

15.一种发光二极管结构，其特征在于：包含有：

基板；

N型半导体层，设置于该基板之上；

发光层，设置于部分该N型半导体层之上；

P型半导体层，设置于该发光层之上；

透明导电层，设置于部分该P型半导体层之上； 

第一电极，设置于该透明导电层之上；

第二电极，设置于该N型半导体层之上；及

第二焊垫反射层，设置于该N型半导体层与该第二电极之间，且该第二焊垫反射层自第二电极的剖面底边延伸至与发光层相对的第二电极相同剖面侧边设置为L字型。