[发明专利]基于静电斥力的电容式射频MEMS开关

权利要求书

1.一种基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，包括上表面加工有氧化层（2）的衬底（1），所述衬底（1）的上表面两侧平行分布有地线a（3）和地线b（4）；所述衬底（1）的上表面沿地线长度方向架设有信号传输线；

其特征在于：所述信号传输线的下方设有具有弹性的可动桥膜，所述可动桥膜的两端分别支撑于地线a（3）和地线b（4）上，所述可动桥膜的上表面中部设有介质层（11），当可动桥膜受力向上弯曲形变后，其上的介质层（11）与信号传输线的下表面接触；所述衬底（1）的上表面中部固定设有并排分布的驱动电极a（8）、驱动电极b（9）及驱动电极c（10），所述驱动电极a（8）、驱动电极b（9）及驱动电极c（10）均与位于两侧的地线a（3）和地线b（4）平行、且位于可动桥膜的下方。

2.根据权利要求1所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述信号传输线包括位于衬底（1）上表面、且分别位于可动桥膜两侧的输入电极a（5a）和输出电极e（5e），所述输入电极a（5a）和输出电极e（5e）位于同一直线上、且与位于两侧的地线a（3）和地线b（4）平行，所述输入电极a（5a）和输出电极e（5e）分别固连有支撑电极b（5b）和支撑电极d（5d），所述支撑电极b（5b）和支撑电极d（5d）上支撑有与位于两侧的地线a（3）和地线b（4）平行的悬空电极c（5c）。

3.根据权利要求2所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述输入电极a（5a）分别与地线a（3）和地线b（4）的距离相等；同理，所述输出电极e（5e）分别与地线a（3）和地线b（4）的距离相等。

4.根据权利要求3所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述可动桥膜包括呈工字型连接的支撑臂b（6b）、中间梁a（6a）和支撑臂c（6c），所述支撑臂b（6b）的两端分别通过支撑梁b（7b）和支撑梁d（7d）支撑在地线a（3）和地线b（4）上，所述支撑臂c（6c））的两端分别通过支撑梁a（7a）和支撑梁c（7c）支撑在地线a（3）和地线b（4）上；所述中间梁a（6a）位于悬空电极c（5c）的正下方、且二者平行；所述介质层（11）位于中间梁a（6a）的上表面中部；所述驱动电极b（9）位于中间梁a（6a）的正下方。

5.根据权利要求4所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述氧化层（2）为二氧化硅氧化层。

6.根据权利要求5所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述介质层（11）的材料是氮化硅或高介电常数材料PZT。

7.根据权利要求6所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述可动桥膜的材料是金。

8.根据权利要求7所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述驱动电极a（8）、驱动电极b（9）和 驱动电极c（10）之间的间距相等。

9.根据权利要求8所述的基于静电斥力的电容式射频MEMS开关，其特征在于：所述驱动电极a（8）、驱动电极b（9）和驱动电极c（10）的材料均是金。