[发明专利]一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料，其特征在于所述硅基负极材料以单质硅为基底，在基底外包覆有硅烷偶联剂修饰层。

2.一种权利要求1所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：

（1）将硅烷偶联剂与硅粉进行超声共混，在保护气氛中于40-120℃温度下回流，对硅粉进行修饰；其中：硅烷偶联剂的加入量为硅粉质量分数的0.01-10%； 

（2）将所述混合溶液洗涤、抽滤、真空干燥，得到具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料。

3.根据权利要求2所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述硅粉的制备方法为气相法、溶胶—凝胶法、沉淀法、微乳液法、球磨法的一种。

4.根据权利要求2或3所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述硅粉的粒径区间范围在20到8000 nm之间。

5.根据权利要求2所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述硅烷偶联剂为γ—氨丙基三乙氧基硅烷、γ―(2，3―环氧丙氧) 丙基三甲氧基硅烷、γ—（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三丁酮肟基硅烷、异氰酸丙基三乙氧基硅烷的一种。

6.根据权利要求2所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述回流时间为5-10 h。

7.根据权利要求2所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述真空干燥温度为45-55℃，真空干燥时间为10-12 h。

8.权利要求1所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料掺杂在石墨中作为锂离子电池负极材料的应用。

9.根据权利要求8所述的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料掺杂在石墨中作为锂离子电池负极材料的应用，其特征在于所述硅基负极材料占石墨含量的1~98%。