[发明专利]光电转换设备以及光电转换设备的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换设备，包括：

半导体基板；

设置在所述半导体基板中的包括第一导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的光电转换部；以及

被配置用于传送第一半导体区域和第二半导体区域的电荷的传送部，

其中，第一半导体区域沿平行于半导体基板的表面的第一方向延伸，

其中，第一半导体区域包括具有与第一半导体区域的不同部分的杂质浓度相比较低的杂质浓度的部分，

其中，第二半导体区域设置在该具有较低的杂质浓度的部分之下，以及

其中，第一半导体区域的沿第一方向的长度大于第二半导体区域的沿第一方向的长度。

2.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括：

设置在第一半导体区域之上的第二导电类型的第三半导体区域。

3.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，该具有较低的杂质浓度的部分在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影和第二半导体区域在该平面上的正交投影相互一致。

4.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，该具有较低的杂质浓度的部分在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影包围第二半导体区域在该平面上的正交投影。

5.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，第二半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影包围该具有较低的杂质浓度的部分的在该平面上的正交投影。

6.根据权利要求1所述的光电转换设备，

其中，传送部包括传送栅极电极，以及

其中，从第二半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影的中心到传送栅极电极在该平面上的正交投影的距离小于从第一半导体区域在该平面上的正交投影的中心到传送栅极电极在该平面上的正交投影的距离。

7.一种光电转换设备，包括：

半导体基板；

设置在所述半导体基板中的包括第一导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的光电转换部；

被配置用于传送第一半导体区域和第二半导体区域的电荷的传送部；

设置在第一半导体区域之上的第二导电类型的第三半导体区域；以及

第二导电类型的第四半导体区域，

其中，第一半导体区域包括第一部分和与第一部分不同的第二部分，

其中，第一部分、第二部分以及第四半导体区域设置在相同深度处，

其中，第一部分、第四半导体区域以及第二部分沿与半导体基板的表面平行的第一方向依次布置，

其中，第二半导体区域设置在第四半导体区域之下，以及

其中，第一半导体区域的沿第一方向的长度大于第二半导体区域的沿第一方向的长度。

8.根据权利要求7所述的光电转换设备，其中，第二半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影和第四半导体区域在该平面上的正交投影相互一致。

9.根据权利要求7所述的光电转换设备，其中，第二半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影包围第四半导体区域在该平面上的正交投影。

10.根据权利要求7所述的光电转换设备，其中，第四半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影包围第二半导体区域在该平面上的正交投影。

11.根据权利要求7所述的光电转换设备，

其中，传送部包括传送栅极电极，以及

其中，从第二半导体区域在平行于半导体基板的表面的平面上的正交投影的中心到传送栅极电极在该平面上的正交投影的距离小于从第一半导体区域在该平面上的正交投影的中心到传送栅极电极在该平面上的正交投影的距离。