[发明专利]双向光控晶体闸流管芯片、光触发耦合器和固态继电器

权利要求书

1.一种双向光控晶体闸流管芯片，其特征在于：

具备在1个半导体芯片的表面相互分离地形成的第一光控晶体闸流管部和第二光控晶体闸流管部，

所述各光控晶体闸流管部具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸并且具有N型和P型中的一种导电类型的阳极扩散区域；具有N型和P型中的另一种导电类型的衬底；与所述阳极扩散区域相对的具有所述一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内与所述阳极扩散区域相对地形成并且具有所述另一种导电类型的阴极扩散区域，

在将作为所述阳极扩散区域的延伸方向的所述一个方向设为第一方向，将与所述第一方向正交并且与所述衬底的表面大致平行的方向设为第二方向的情况下，所述半导体芯片的最外周的芯片端面与所述控制极扩散区域在所述第二方向的距离为400μm以下。

2.如权利要求1所述的双向光控晶体闸流管芯片，其特征在于：

所述各光控晶体闸流管部中，

所述控制极扩散区域配置在比所述阳极扩散区域更靠所述芯片端面侧的位置。

3.如权利要求2所述的双向光控晶体闸流管芯片，其特征在于：

所述各光控晶体闸流管部中，

所述阳极扩散区域与所述基极扩散区域在所述第二方向的分离距离为200μm以上并且300μm以下。

4.一种光触发耦合器，其特征在于，包括：

权利要求1至权利要求3中任一项所述的双向光控晶体闸流管芯片；和

发光二极管。

5.一种固态继电器，其特征在于，包括：

权利要求4所述的光触发耦合器；和

缓冲电路。