[发明专利]一种显示基板的维修方法和维修装置有效
申请号: | 201410264221.X | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN104143536B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 闫龙;钱志禹;朱石林;祝道成;朱国富;吕超;孙勇 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 维修 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板的维修方法和维修装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板是在玻璃基板上形成阵列电路,在阵列电路形成以后或在形成过程中,需要对形成工艺进行检测。如果检测结果表明产品中存在不良,则需要对存在不良处进行维修。
目前在TFT-LCD生产工艺中,比较常见的维修方法有激光切割法(Cut Repair)和金属沉积法(CVD Repair)。激光切割法是针对残留性不良位置(Short NG Point)进行切割处理,而金属沉积法是针对断开性不良位置(Open NG Point)进行沉积后连接处理。
图1为现有技术中显示基板检测的正常状态图,图2为图1所示显示基板检测的正常波形图。如图1所示,测试探头101与电流源连接,测试探头101和测试探头102与同一根数据线连接,测试探头103与前一根数据线连接。在保持测试探头101、测试探头102和测试探头103之间相对位置不变的前题下,将上述三个测试探头延箭头方向缓慢推进,同时测量测试探头102上的电压V102和测试探头103上的电压V103,从而形成电压V102和电压V103的波形图。如图2所示,当所测试的电路上没有不良时,所形成的电压V102和电压V103的波形图为两条平行的直线。
图3为现有技术中显示基板检测的断路状态图,图4为图3所示显示基板检测的断路波形图。当测试探头101、测试探头102和测试探头103推进到如图3所示的位置时,测试探头101和测试探头102之间出现了断开性不良位置104,使得测试探头101和测试探头102之间出现断路,从而形成如图4所示的电压V102波形。
图5为现有技术中显示基板检测的短路状态图,图6为图5所示显示基板检测的短路波形图。当测试探头101、测试探头102和测试探头103推进到如图5所示的位置时,测试探头101和测试探头103之间出现了残留性不良位置105,使得测试探头101和测试探头103之间出现短路,从而形成如图6所示的电压V103波形。
图7为现有技术中显示基板的断开性不良的维修图。如图7所示,检测到断开性不良位置后,使用氩气(Ar)将金属碳氧化物粉末携带至反应釜中,用激光(图中箭头为激光方向)作为能量源,通过化学反应将上述化合物分解以金属粉末的状态沉积到玻璃基板上,在热效应作用下形成致密的金属膜层,从而连接断开的线路。图8为现有技术中显示基板的残留性不良的结构示意图,图9为图8所示显示基板的残留性不良的的维修图。如图8所示,绝缘层106破洞导致第一金属层107与第二金属层108之间形成残留性不良。如图9所示,直接利用激光(图中箭头为激光方向)对残留物进行切割,使得多余的部分与有用的部分断开。
可以看出,上述维修方法需要先确定不良位置,再针对所述不良位置进行维修,导致维修成本过高。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种显示基板的维修方法和维修装置,用于解决现有技术中对显示基板的维修先要确定不良位置,再针对所述不良位置进行维修,导致维修成本过高的问题。
为此,本发明提供一种显示基板的维修方法,所述显示基板包括电极层、绝缘层和金属层,所述绝缘层位于所述电极层和所述金属层之间,所述金属层与所述电极层通过位于所述绝缘层中的残留结构电连接;所述维修方法包括:在所述电极层和所述金属层之间加载修复电压,以使所述残留结构断开。
优选的,所述在所述电极层和所述金属层之间加载修复电压的步骤之前还包括:将第一导电结构与所述电极层电连接;将第二导电结构与所述金属层电连接;所述在所述电极层和所述金属层之间加载修复电压的步骤包括:通过所述第一导电结构和所述第二导电结构,向所述电极层和所述金属层之间加载所述修复电压。
优选的,所述第一导电结构为测试探针,所述第二导电结构为导电橡皮。
优选的,所述在所述电极层和所述金属层之间加载修复电压的步骤包括:在所述修复电压的设定范围值内,从低至高加载所述修复电压。
优选的,所述修复电压的设定范围值包括:30V至60V。
优选的,所述修复电压的设定范围值包括:48V至60V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410264221.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:打线结构
- 下一篇:一种产品通孔刻蚀缺陷的检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造