[发明专利]用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法有效
| 申请号： | 201410264284.5 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104034568A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;闫德宝;孙敬龙;安彤;王仲康;唐亮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 检测 超薄 硅晶圆亚 表面 损伤 深度 试样 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)将整片晶圆切割为多个样品；
(2)取下任意位置样品，并将其粘贴到硬度大于硅的金属板上；粘贴时，晶圆样品的切割边缘要超出金属板的边缘；且将晶圆的磨削面粘贴到金属板上；
(3)对粘贴好的试样进行磨削、抛光、腐蚀处理，具体如下：
(3a)在磨削机上用P800砂纸打磨试样直至露出试样截面；
(3b)用P2000砂纸对步骤(3a)处理过的截面进行精磨5～10min,；
(3c)用自来水冲洗步骤(3b)精磨过的截面，在抛光机上对其进行抛光，使用粒度为0.5μm的抛光液抛光20～30min；
(3d)用步骤(3c)抛光过的截面，用粒度为0.25μm的抛光液抛光20～30min；
(3e)用自来水冲洗步骤(3d)抛光过的截面，用杨氏溶液对截面进行腐蚀15～20s后取出立即用酒精冲洗截面；
(3f)将步骤(3e)处理过的样品放入盛有新酒精的烧杯中，一同放入超声波清洗仪里清洗10～15min；
(3g)将步骤(3f)清理好的试样取出并吹干，放入试样袋中，避免将试样暴露在空气中。
2.根据权利要求1所述的用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，其特征在于,所述的晶圆为厚度在300μm以下的超薄晶圆。
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