[发明专利]一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法

权利要求书

1.一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：

1)采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；

2)在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；

3)在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；

4)利用步骤2)外加的正弦电流和步骤3)外加的偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。

2.如权利要求1所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤1)中，“艹”字形霍尔结由一个纵向Pt薄膜和两个横向Pt薄膜构成，两个横向Pt薄膜间隔设置在纵向Pt薄膜上，并与纵向Pt薄膜一体成型。

3.如权利要求1所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤1)中，采用磁控溅射方法在YIG基片上生长的Pt薄膜厚度为3nm。

4.如权利要求2所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤1)中，采用磁控溅射方法在YIG基片上生长的Pt薄膜厚度为3nm。

5.如权利要求1或2或3或4所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤2)中，在“艹”字形霍尔结纵向外加的正弦电流为I＝800sin(t/146.4)mA。

6.如权利要求1或2或3或4所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤3)中，外加的偏置磁场为：从t＝0时刻起，当电流增大时，该偏置磁场为零；当电流减小时，该偏置磁场为200Oe。

7.如权利要求5所述的一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其特征在于：所述步骤3)中，外加的偏置磁场为：从t＝0时刻起，当电流增大时，该偏置磁场为零；当电流减小时，该偏置磁场为200Oe。