[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有照相制版工序，其中，

所述照相制版工序具有进行显影液浸渍处理的工序，

进行所述显影液浸渍处理的工序具有：

工序(a)，在该工序中，将显影液滴在半导体衬底上，以膜厚大于6μm的方式形成显影液膜；以及

工序(b)，在该工序中，使所述显影液膜的膜厚变薄至小于或等于6μm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)中，使所述显影液膜的膜厚变薄至1μm～6μm的范围。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

进行所述显影液浸渍处理的工序还具有工序(c)，在该工序(c)中，再次将显影液滴在所述半导体衬底上，使所述显影液膜的膜厚与在所述工序(b)中变薄后的膜厚相比变厚。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)中，使所述半导体衬底以1000rpm的转速旋转。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)中，所述半导体衬底的旋转时间t满足以下的公式：

【公式1】

h=1/4kt]]>

k＝ρω²/3η

在该公式中，

h：膜厚

ρ：比重

ω：转速

η：粘度。

6.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(b)中，使刮片沿着在所述半导体衬底上形成的所述显影液膜的表面移动。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体装置是碳化硅半导体装置。