[发明专利]发光器件和照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一电极层；

在所述第一电极层上的第二导电半导体层；

在所述第二导电半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的Al_yGa_1-yN层，其中，0＜y≤1；

在所述Al_yGa_1-yN层上的In_xGa_1-xN图案，其中，0＜x≤1；

在所述In_xGa_1-xN图案上的氮化镓半导体层；以及

在所述氮化镓半导体层上的焊盘电极，

其中所述In_xGa_1-xN图案是螺旋生长的并且包括向下凸出的部分，

其中所述Al_yGa_1-yN层包括沿所述In_xGa_1-xN图案的表面向下凸出的部分。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述Al_yGa_1-yN层包括AlN层/GaN层的超晶格结构。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述Al_yGa_1-yN层包括AlGaN层/GaN层的超晶格结构。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述In_xGa_1-xN图案由具有渐变折射率的多个层形成。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述In_xGa_1-xN图案具有分离的岛的形状。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极层包括欧姆接触图案和反射层。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述欧姆接触图案置于所述反射层与所述第二导电半导体层之间。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述欧姆接触图案与所述第二导电半导体层接触。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述反射层与所述Al_yGa_1-yN层竖直交叠。

10.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述反射层与所述In_xGa_1-xN图案竖直交叠。

11.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层的底部上的光传递沟道层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述光传递沟道层与In_xGa_1-xN图案竖直交叠，其中，0＜x≤1。

13.根据权利要求11所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层下的支承构件，以及

设置在所述光传递沟道层的侧面和所述支承构件的侧面处的反射部。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述反射部的顶表面设置在所述In_xGa_1-xN图案和所述光传递沟道层之间，其中，0＜x≤1。