[发明专利]半导体存储装置以及数据存储和功耗有效
申请号: | 201410264540.0 | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN104599697B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 林胜坚;卓静美 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 以及 数据 功耗 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
写驱动器,被配置成接收输入数据和将输入数据传输至数据储存区;
感测放大器,被配置成感测以及放大在所述数据储存区中储存的数据并且将数据作为输出数据输出;以及
使能信号产生块,被配置成:当写使能信号被使能时根据所述输入数据与所述输出数据的比较结果来使能写驱动器使能信号,当读使能信号被使能时根据所述比较结果来使能感测放大器使能信号,以及当验证信号被使能时根据所述比较结果来将所述写驱动器使能信号和所述感测放大器使能信号两者都使能。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述使能信号产生块包括:
比较单元,被配置成比较所述输入数据与所述输出数据并且产生比较信号;以及
控制单元,被配置成响应于所述写使能信号、所述读使能信号、所述验证信号以及所述比较信号来产生所述写驱动器使能信号和所述感测放大器使能信号。
3.如权利要求2所述的半导体存储装置,其中,所述控制单元包括:
锁存信号产生部,被配置成响应于所述验证信号和所述比较信号来产生锁存信号;
写驱动器使能信号产生部,被配置成响应于所述锁存信号和所述写使能信号而产生所述写驱动器使能信号;以及
感测放大器使能信号产生部,被配置成响应于所述锁存信号和所述读使能信号而产生所述感测放大器使能信号。
4.如权利要求3所述的半导体存储装置,其中,当所述写使能信号或所述锁存信号被使能时,所述写驱动器使能信号产生部将所述写驱动器使能信号使能。
5.如权利要求3所述的半导体存储装置,其中,当所述读使能信号或所述锁存信号被使能时,所述感测放大器使能信号产生部将所述感测放大器使能信号使能。
6.如权利要求3所述的半导体存储装置,其中,所述锁存信号产生部在所述验证信号被使能时将所述锁存信号使能,以及保持被使能的锁存信号直到所述比较信号被禁止为止。
7.如权利要求6所述的半导体存储装置,其中,当所述比较信号被禁止时,所述锁存信号产生部将所述锁存信号禁止。
8.一种半导体存储装置,包括:
第一数据输入/输出块,被配置成:接收第一输入数据用于将第一输入数据传输至数据储存区,或通过感测以及放大在所述数据储存区中储存的数据来输出第一输出数据;
第一使能信号产生块,被配置成判断所述第一输入数据和所述第一输出数据是否等同,以及判断是否激活所述第一数据输入/输出块;
第二数据输入/输出块,被配置成:接收第二输入数据用于将第二输入数据传输至所述数据储存区,或通过感测以及放大在所述数据储存区中储存的数据来输出第二输出数据;以及
第二使能信号产生块,被配置成判断所述第二输入数据和所述第二输出数据是否等同,以及判断是否激活所述第二数据输入/输出块,
其中,所述第一使能信号产生块响应于写使能信号、读使能信号、验证信号来控制是否激活传输所述第一输入数据的写驱动器和输出所述第一输出数据的感测放大器,以及所述第一输入数据和所述第一输出数据是否等同,以及
其中,所述第二使能信号产生块响应于所述写使能信号、所述读使能信号、所述验证信号来控制是否激活传输所述第二输入数据的写驱动器和输出所述第二输出数据的感测放大器,以及所述第二输入数据和所述第二输出数据是否等同。
9.如权利要求8所述的半导体存储装置,其中,所述第一输出数据是与在所述数据储存区中储存的所述第一输入数据相对应的数据,所述第二输出数据是与在所述数据储存区中储存的所述第二输入数据相对应的数据。
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