[发明专利]金属互连结构的制作方法

权利要求书

1.一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构包括位于下层的导电插塞及位于上层、完全覆盖所述导电插塞的金属线图案，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有导电插塞及其间填充的第一介质层，所述导电插塞为方形孔；

形成覆盖所述导电插塞及第一介质层的第二介质层，在所述第二介质层上形成光刻胶，对所述光刻胶曝光、显影，得到图案化的光刻胶；所述曝光过程中采用的掩膜板为经光学临近修正后的掩膜板，所述掩膜板具有金属线图案对应区及位于金属线图案对应区中的散射条，所述金属线图案对应区覆盖导电插塞的三个侧面，所述散射条的位置与导电插塞对应，所述散射条位于导电插塞的未被金属线图案对应区覆盖的一侧的对面，使得曝光后的图案化光刻胶具有一定程度收缩，以该图案化光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层所形成的沟槽完全暴露出导电插塞；

以所述图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述第二介质层形成沟槽，在所述沟槽内填充金属得到金属线图案。

2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述散射条为长条状，所述散射条的长度方向沿与所述导电插塞连接处的金属线图案对应区的走向，所述散射条的中心与所述导电插塞的中心的连线垂直于与所述导电插塞连接处的金属线图案对应区的走向。

3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，对于某一个所述导电插塞，所述散射条包括走向一致的多个。

4.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述导电插塞具有多个，所述散射条为连续的长条状，所述连续长条状的长度方向沿与所述多个导电插塞连接处的金属线图案对应区的走向。

5.根据权利要求4所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述连续长条状散射条包括走向一致的多个。

6.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述散射条的宽度范围为15纳米-30纳米。

7.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜板中金属线图案对应区透光，所述散射条区域不透光。

8.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光刻胶，所述掩膜板中金属线图案对应区不透光，所述散射条区域透光。

9.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，经光学临近修正后的掩膜板的获取方法为：

设定所述散射条的初始位置、长度及宽度；

对包含散射条的金属线图案对应区进行光学临近修正，若所述金属线图案对应区满足需求，则将所述金属线图案对应区的形状、尺寸以及散射条的位置、长度及宽度作为修正后的掩膜板；若所述金属线图案对应区不满足需求，则调整所述散射条的初始位置、长度及宽度，重复对包含散射条的金属线图案对应区进行光学临近修正直至满足需求。

10.根据权利要求9所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属线图案对应区满足需求为所述金属线图案完全覆盖所述导电插塞且相邻金属线图案不连通。

11.根据权利要求10所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述相邻金属线图案之间的间距范围为30纳米-100纳米。