[发明专利]刻蚀方法和互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410265014.6 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105336585B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 互连 结构 形成 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成硬掩膜材料层，所述硬掩膜材料层所使用的材料在刻蚀时应力小且形成的副产物易于清除，从而减小经刻蚀后形成的硬掩膜的尺寸与预设尺寸间的偏差，所述硬掩膜材料层的材料为二氧化钛；
在所述介质层上刻蚀所述硬掩膜材料层形成硬掩模；
以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；
在形成通孔后，进行湿法清洗步骤，以去除通孔表面以及内壁附着的刻蚀副产物，所述湿法清洗步骤采用EKC溶液或者是稀释的氢氟酸溶液作为清洗溶液；
在所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞。
2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层的方法为干法刻蚀。
3.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀以含有四氟化碳和二氧化碳的气体为刻蚀气体。
4.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的步骤包括气体流量为100～5000sccm，气压为0.01～10torr，射频功率为100～5000W，偏置功率为100～1000W。
5.如权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层的干法刻蚀采用的刻蚀气体还包括三氟甲烷。
6.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩模的厚度为
7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述硬掩模的步骤包括：
在所述介质层上形成二氧化钛层，之后干法刻蚀所述二氧化钛层形成所述硬掩模。
8.如权利要求7所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层上形成所述二氧化钛层的步骤包括：采用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或介电质化学气相沉积形成所述二氧化钛层。
9.如权利要求7所述的互连结构的形成方法，其特征在于，干法刻蚀所述二氧化钛层形成所述硬掩模的步骤包括：
在所述二氧化钛层上形成光刻胶层，经曝光显影工艺后形成光刻胶掩模；
以所述光刻胶掩模为掩模刻蚀所述二氧化钛层形成所述硬掩模。
10.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料的K值小于3。
11.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞的步骤包括：
在所述通孔内填充金属材料，形成金属插塞以作为所述导电插塞。
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