[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成栅极金属层，其特征在于，所述形成栅极金属层之后，还包括：

通过一次构图工艺形成台阶型栅结构；

进行第一次离子注入程序，形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区相距第一长度；

将所述台阶型栅结构形成栅极；

进行第二次离子注入程序，形成第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区相距第二长度，所述第一长度小于第二长度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极金属层，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成半导体层；

在所述半导体层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极金属层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之后，所述方法还包括：

在形成栅极的基板上形成包括有接触孔的层间介质层；

在所述层间介质层上形成源极、漏极和数据线的图形，所述源极通过贯穿所述栅绝缘层和所述层间介质层的接触孔与所述第一重掺杂区连接，所述漏极通过贯穿所述栅绝缘层和所述层间介质层的接触孔与所述第二重掺杂区连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成台阶型栅结构，包括：

在所述栅极金属层上形成光刻胶层；

采用半色调相移掩膜板/灰色调相移掩膜板曝光所述光刻胶层，形成台阶型结构，所述台阶型结构包括：第一部分光刻胶和第二部分光刻胶，所述第一部分光刻胶的高度大于第二部分光刻胶的高度；

湿法刻蚀所述栅极金属层未被所述台阶型结构覆盖的区域，形成矩形栅结构，所述矩形栅结构位于所述台阶型结构的下方；

灰化处理所述台阶型结构的第二部分光刻胶，形成光刻胶结构，所述光刻胶结构包括所述第一部分光刻胶；

湿法刻蚀所述栅金属层未被所述光刻胶结构覆盖的区域，形成台阶型栅结构，所述台阶型栅结构具有第一高度和第二高度，所述第一高度大于第二高度，所述台阶型栅结构的第一高度区域位于所述光刻胶结构的下方；

去除所述台阶型栅结构上方的光刻胶结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极金属层，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层转化为多晶硅层，包括：

在预设温度下对所述非晶硅进行激光退火，形成多晶硅层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上形成非晶硅层，包括：

在所述缓冲层上，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述非晶硅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次离子注入程序和第二次离子注入程序中的离子为下述的一种或多种：

B离子、P离子、As离子、PHx离子。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述台阶型栅结构形成栅极，包括：

湿法刻蚀所述台阶型栅结构，形成栅极，所述栅极的厚度范围为1000埃至3000埃。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如上权利要求1至9任一项所述的方法制备。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10所述的薄膜晶体管。