[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板背板电源线电阻较大造成像素间亮度非均匀性的问题。本发明的阵列基板及其制备方法，由于将背板电源线的电源导线层在阵列基板单独成层设置，电源导线层其在衬底上的投影面积可以更大，也就是电源导线层的导电截面积也可以更大，从而降低电源导线层的电阻。从而降低不同像素单元的电流差异，进而减弱在显示时产生云纹现象。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

有机发光显示二极管(OLED)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。传统的无源矩阵有机发光显示(Passive Matrix OLED)随着显示尺寸的增大，需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会造成掺锡氧化铟ITO线上压降过大，并使OLED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机发光显示(Active Matrix OLED)通过开关管逐行扫描输入OLED电流，可以很好地解决这些问题。

基于P型TFT构成的传统2T1C像素驱动电路如图1所示：图中，Ml为开关晶体管，用于控制数据线电压Vdata输入；M2为驱动晶体管，用于控制OLED的发光电流；Cs为存储电容器，用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。

上述的2T1C像素驱动电路在单帧时间内包括两个工作时段：第一时段为数据线电压Vdata写入时段tl，在该时段内，行扫描线电压Vscan为低电平，此时开关晶体管Ml导通，数据线电压Vdata经过开关晶体管Ml漏源极之间的通道写入到存储电容器Cs上，并同时作用于驱动晶体管M2的栅极，M2导通，电源电压VDD驱动发光像素单元OLED发光；

第二时段为显示维持时段t2，在该时段内，行扫描线电压Vscan为高电平，开关晶体管Ml处于截止状态，其漏源极之间的通道被关断，数据线电压Vdata与存储电容器Cs(驱动晶体管M2的栅极)之间的通道被关断。此时，在要求不严格的情况下可以认为存储电容器Cs因开关晶体管Ml关断而没有电荷的泄放通路，只能保持开关晶体管Ml截止前的状态，Cs两端电压维持不变，M2导通并维持发光像素单元OLED发光，直到下一帧周期的行扫描线电压Vscan到来，开关晶体管Ml再次被选通。

具体地，如下式(1)所示，驱动电流可表示为：

其中，μP为载流子迁移率，COX为栅氧化层电容，W/L为晶体管宽长比，Vdata为数据线电压，VDD为AMOLED背板电源电压，为所有像素单元共享，VTH为晶体管的阈值电压，可见驱动电流与背板电源电压VDD相关。

尤其是在大尺寸显示应用中，由于背板电源线存在一定电阻，且所有像素的驱动电流都由电源电压VDD提供，可见，在背板中靠近背板电源电压VDD供电位置区域的电源电压相比较离供电位置较远区域的电源电压要高，产生电压降。由于背板电源电压VDD与驱动电流相关，电压降也会造成不同区域的电流差异，进而在显示时产生云纹。

现有技术中阵列基板上像素区域的每个像素单元中，电源导线层与栅极层或源、漏极层同层且平行布置，造成电源导线层占有像素区域面积，且不能形成网状结构，造成电源导线层电阻较大；另外，由于同层布置造成电源导线层占有的面积有限，电源导线层的导电截面有限，也造成电源导线层电阻较大；另外，电源导线层与栅极层或源、漏极层同层且平行布置需要占据像素单元的面积，造成像素开口率下降。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术的背板电源线电阻较大造成像素间亮度非均匀性的问题，提供一种降低能降低背板电源线电阻的阵列基板。