[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

穿通电极，穿通衬底并且具有从所述衬底的第一表面突出的第一端部；

钝化层，覆盖所述穿通电极的所述第一端部的侧壁并且在所述衬底的所述第一表面之上延伸；

凸块，具有穿通所述钝化层并且与所述穿通电极的所述第一端部耦接的下部；以及

下金属层，具有凹面形状，被设置在所述凸块和所述穿通电极的所述第一端部之间并且覆盖所述凸块的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块的上部从所述钝化层的顶表面突出。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述下金属层覆盖所述凸块的所述上部的侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下金属层包括选自钛Ti、铜Cu、镍Ni和金Au的材料。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述凸块包括选自铜Cu、镍Ni和锡Sn的材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括：

第一电介质层，包围所述凸块的所述下部的侧壁；以及

第二电介质层，被设置在所述第一电介质层和所述衬底的所述第一表面之间，以及被设置在所述第一电介质层和所述穿通电极的所述第一端部的侧壁之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第一电介质层具有比所述穿通电极的所述第一端部的高度更大的厚度，以及

其中，所述第二电介质层具有比所述穿通电极的所述第一端部的高度更小的厚度。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二电介质层覆盖所述衬底的所述第一表面，并且垂直地延伸至所述第一端部的侧壁上以形成保护环部。

9.一种半导体器件，包括：

穿通电极，穿通第一衬底使得所述穿通电极的第一端部从所述第一衬底的第一表面突出；

钝化层，覆盖所述第一衬底的所述第一表面和所述穿通电极的所述第一端部的侧壁；

第一凸块，具有穿通所述钝化层并且与所述穿通电极的所述第一端部耦接的下部；

下金属层，具有凹面形状，被设置在所述第一凸块和所述穿通电极的所述第一端部之间并且覆盖所述第一凸块的侧壁；

第二衬底，层叠在所述第一衬底上；以及

第二凸块，与所述第二衬底耦接并且与所述第一凸块结合。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成穿通衬底的穿通电极，使得所述穿通电极的第一端部从所述衬底的第一表面突出；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底的所述第一表面和所述穿通电极的所述第一端部的侧壁；

在所述穿通电极的所述第一端部之上形成下金属层；以及

形成凸块，所述凸块具有穿通所述钝化层并且经由所述下金属层与所述穿通电极的第一端部耦接的下部；

其中，所述下金属层延伸至所述凸块的侧壁上并且具有凹面形状。