[发明专利]集成触控功能的有机发光二极管显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201410268262.6 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104009067A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 谢志生;苏君海;黄亚清;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 功能 有机 发光二极管 显示装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,更具体的说是涉及集成触控功能的有机发光二极管显示装置及其制作方法。
背景技术
随着电脑、手机等移动终端作为信息来源的发展,触摸屏以其易于使用、坚固耐用、反应速度快、节省空间等优点,使得系统设计师们越来越多的感到使用触摸屏具有相当大的优越性。
随着电容式触摸屏的成功,人机交互已经离不开显示器的触控功能。为了更低成本和更方便的实现显示器的触摸,业界一直在寻求显示和触摸的最佳集成方案,随着电容式触摸屏技术发展日渐成熟,发展空间有限,光学触摸屏技术逐渐成为技术研究上的一大热点。
常见的光学触摸屏为红外触摸屏,红外触摸屏是利用X、Y方向上密布的红外线矩阵来检测并定位用户的触摸位置。如图1所示,现有的红外触摸屏在显示器的前面安装一个电路板外框,电路板在屏幕四边排布红外发射管11和红外接收管12,红外发射管11和红外接收管12一一对应形成横竖交叉的红外线矩阵。用户在触摸屏幕时,手指就会挡住经过触摸位置13的横竖两条红外线,此时可以判断出触摸点在屏幕上的位置,任何触摸物体都可改变触点上的红外线而实现触摸屏操作。
发明人发现,虽然红外触摸屏技术已经出现较长一段时间,但由于红外触摸屏体积较大,生产成本较高,影响了红外触摸技术的发展。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种将红外发光单元与红外接收单元集成在显示器内部的有机发光二极管显示装置及其制作方法,以降低红外触摸屏的体积及生产成本。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种集成触控功能的有机发光二极管显示装置,包括多个像素单元,每个像素单元包括:
基板,所述基板分为显示区域和探测区域;
位于所述基板显示区域的多个有机发光二极管元件,每个所述有机发光二极管元件包括:第一晶体管、第二晶体管、存储电容、电连接所述第二晶体管的第一电极层、位于所述第一电极层上的有机发光层、位于所述有机发光层表面的第二电极层;
位于所述基板探测区域的红外光探测元件,所述红外光探测元件包括:第三晶体管、与所述第三晶体管电连接的红外光探测单元,所述红外光探测单元包括红外光探测第一电极、与所述红外光探测第一电极相连的红外光感应层和与所述红外光感应层相连的红外光探测第二电极;
其中,多个有机发光二极管元件包括红光有机发光二极管元件和蓝光有机发光二极管元件中的至少一个、红外光有机发光二极管元件和绿光有机发光二极管元件。
优选地,所述红外光探测单元的红外感应层的材料体系为碲锌镉汞系、铝镓铟砷系、铟镓砷磷系、铝镓铟磷系、铟镓砷锑系、铝镓砷锑系或硅锗系中的任意一种。
优选地,所述红外光探测单元的结构为PIN光电二极管、异质结光电晶体管、雪崩光电二极管、量子阱红外探测器、量子级联红外探测器和超晶格红外探测器中的任意一种。
优选地,所述红外光有机发光二极管元件中的有机发光层材料为三价线态的稀有金属化合物。
优选地,所述红外光有机发光二极管元件中的有机发光层材料为Ir(III)化合物。
优选地,每个像素单元中包括红光有机发光二极管元件、蓝光有机发光二极管元件、绿光有机发光二极管元件和红外光有机发光二极管元件,且所述红光有机发光二极管元件、绿光有机发光二极管元件和蓝光有机发光二极管元件的排列方式为RGB条状排列方式。
优选地,每个像素单元中包括红光有机发光二极管元件、蓝光有机发光二极管元件、绿光有机发光二极管元件和红外光有机发光二极管元件,且所述红光有机发光二极管元件、绿光有机发光二极管元件和蓝光有机发光二极管元件排列方式为RGB交错排列方式。
同时,本发明还提供一种集成触控功能的有机发光二极管显示装置的制作方法,包括:
提供基板,所述基板上包括至少一个像素区域,每个像素区域均分为显示区域和探测区域;
在每个像素区域的显示区域形成第一晶体管和第二晶体管,在每个像素区域的探测区域形成第三晶体管和探测单元的红外探测第一电极和红外探测第二电极;
在所述第二晶体管上形成第一导电膜,图案化所述第一导电膜形成有机发光二极管元件的第一电极层,所述第一电极层位于所述显示区域,并连接至所述第二晶体管;
在所述第三晶体管上形成红外光感应膜;图案化所述红外光感应膜形成红外光感应层,所述红外光感应层位于所述探测区域,并连接至所述第三晶体管;
在所述显示区域的第一电极层外的区域上和探测区域的红外光感应层上形成介电层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的