[发明专利]斜孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410268396.8 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105329840A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 钦华林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用各向异性的单步刻蚀对晶圆进行刻蚀，直至达到斜孔所需的刻蚀深度；
去除所述晶圆表面的掩膜；
采用各向同性的单步刻蚀对所述斜孔的侧壁进行刻蚀，直至达到所述斜孔所需的侧壁角度。
2.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，晶圆表面的掩膜为硬掩模。
3.根据权利要求2所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，晶圆表面的掩膜为SiO2或金属Al。
4.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，各向异性的单步刻蚀中使用的刻蚀气体为SF6与O2。
5.根据权利要求4所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，各向异性的单步刻蚀中使用的刻蚀气体还包括N2或He。
6.根据权利要求4所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，各向异性的单步刻蚀中的气体压强为10mT～50mT。
7.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，去除晶圆表面的掩膜采用干法刻蚀，使用的刻蚀气体为CxFy。
8.根据权利要求7所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，去除晶圆表面的掩膜中使用的刻蚀气体还包括Ar。
9.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，各向同性的单步刻蚀中使用的刻蚀气体为SF6与CxFy。
10.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，各向异性的单步刻蚀中，静电卡盘的温度为-20℃～20℃，上电极功率为300W-1000W，下电极功率为10W-200W。
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