[发明专利]一种阻变存储器的制备方法

说明书

技术领域

本发明是关于半导体领域，特别涉及一种阻变存储器的制备方法。

背景技术

由随着信息产业的发展，许多新的非易失性存储器件应运而生，其中包括铁电存储器、磁存储器、相变存储器和阻变存储器(RRAM)。在这些新型存储器中，RRAM凭借其结构简单、功耗低、可快速读写和可实现高密度存储等优点，具有广阔的应用前景，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一，有望成为下一代“通用”型非易失性存储器。

RRAM利用绝缘体或半导体材料的电阻开关特性，实现信息的存储。所谓电阻开关特性，即在脉冲电压的激发下，器件实现高阻态与低阻态(0和1)之间的转变。RRAM的基本结构单元是金属-绝缘体(或半导体)-金属(MIM)；它的结构一般包括衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的阻变介质层。一般认为RRAM实现电阻开关特性的微观机制是阻变介质层中纳米导电丝的生成和断裂。通常，阻变介质层必须经过一个电激活过程(electroforming process)才能实现可逆的电阻开关特性。由于RRAM结构简单，阻变层薄膜很薄(通常只有几十纳米)，使得它非常适合在三维方向上的堆叠集成；此外，纳米导电丝通常只有几纳米，可以满足存储器件小型化的要求，从而大大提高存储密度。

RRAM的制备工艺简单，且与传统的半导体工艺兼容，其中最关键的是阻变介质层薄膜材料的制备。目前，阻变介质层的制备技术主要有溅射、电子束蒸发和脉冲激光沉积等物理气相沉积技术(PVD)，化学气相沉积技术(CVD)，以及原子层沉积技术(ALD)等。

其中，常规的薄膜掺杂方法主要包括：使用烧制好的掺杂靶材制备薄膜；多靶材共同溅射制备薄膜；通入一定比例的混合前驱体制备薄膜等。然而，这些掺杂手段很难实现掺杂组分的精确可控。基于交替脉冲循环方式实现薄膜沉积的ALD技术，与传统的PVD和CVD方法相比，可以更加精确地控制薄膜厚度，得到致密、均匀、具有高保形性的大面积薄膜，在大规模三维集成方面具有独特的优势。随着纳米技术的发展以及半导体集成电路工艺对器件小型化的要求，作为一种新兴的超薄薄膜制备技术，ALD特别适用于阻变存储器的制造。

阻变介质层材料是RRAM的核心，选择不同的材料，RRAM的阻变特性存在较大差异，目前已报道的具有阻变特性的材料种类繁多。氮化铝作为一种重要的宽禁带半导体，具有优异的电阻开关特性。通常使用磁控溅射方法制备AlN薄膜作为RRAM阻变介质层材料。例如，C.Chen等人(Bipolar resistive switching in Cu/AlN/Pt nonvolatile memory device,Appl.Phys.Lett.97,083502(2010))使用磁控溅射技术制备AlN薄膜，该薄膜显示出良好的电阻开关特性，器件开关比可以达到10³量级。但是，由于AlN薄膜的电阻很大，器件需要非常高的激活电压，导致器件阻变稳定性差，高阻态阻值变化范围大，器件很容易被击穿。这些都限制了ALD技术在阻变存储器领域的广泛应用。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术中的不足，提供一种能够精确控制阻变介质层薄膜厚度、提升阻变存储器稳定性的阻变存储器制备方法。为解决上述技术问题，本发明的解决方案是：

提供一种阻变存储器的制备方法，包括在衬底上依次组装底电极、阻变介质层和顶电极，所述的阻变介质层材料的制备包括以下步骤：

(1)依次将第一前驱体、惰性气体、第一反应物、惰性气体通入反应器中，在0.2～2Torr的气压和50～400℃的衬底温度(反应器中有一个基座，衬底放在基座上，基座的温度一般都表述为衬底温度)下，使用等离子体增强原子层沉积技术制备若干循环薄膜基质；

(2)再依次将第二前驱体、惰性气体、第二反应物、惰性气体通入步骤(1)的反应器中，在0.2～2Torr的气压和50～400℃的衬底温度下，使用等离子体增强原子层沉积技术制备单循环掺杂层；

(3)依次循环交替进行上述步骤(1)和步骤(2)125～1000次后，得到单原子层掺杂的叠层薄膜，即用于作为阻变介质层；