[发明专利]一种钙钛矿膜及其制备与应用方法有效
| 申请号： | 201410268812.4 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104022185B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 谭占鳌;李聪;侯旭亮;于露;屈江江 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿膜 及其 制备 应用 方法 | ||
1.一种钙钛矿膜的制备方法，其特征在于：使用两步真空法，得到一层致密的钙钛矿膜。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿膜的制备方法，其特征在于，具体方法如下：
将卤化铅PbX2前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，加热烘干，然后将卤化铅膜移至真空干燥箱内，在卤化铅膜周围撒上烷基卤化胺粉末，盖上培养皿盖，加热使烷基卤化胺挥发出来与卤化铅直接反应生成一层致密的有机金属卤化物钙钛矿层。
3.根据权利要求2所述的一种钙钛矿膜的制备方法，其特征在于：所述X为Cl、Br或I。
4.根据权利要求2所述的一种钙钛矿膜的制备方法，其特征在于：所述卤化铅为PbI2，烷基卤化胺为CH3NH3I，有机金属卤化物钙钛矿层为CH3NH3PbI3。
5.根据权利要求2所述的一种钙钛矿膜的制备方法，其特征在于：所述卤化铅PbX2前驱体溶液的溶剂为DMF、γ-丁内酯中的一种或两种。
6.一种钙钛矿膜，其特征在于：所述钙钛矿膜是由权利要求1～5任意一项权利要求所述的方法制备得到的。
7.如权利要求6所述的一种钙钛矿膜的应用方法，其特征在于：所述钙钛矿膜用于制备钙钛矿太阳电池。
8.根据权利要求7所述的一种钙钛矿膜的应用方法，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池中透明导电金属氧化物层、空穴传输层、钙钛矿膜、电子传输层和金属电极层顺次相连。
9.根据权利要求8所述的一种钙钛矿膜的应用方法，其特征在于：所述空穴传输层的材质为高功函金属氧化物、p型共轭聚合物和p型导电聚合物中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的一种钙钛矿膜的应用方法，其特征在于：所述的电子传输层的材质为n型金属氧化物、富勒烯及其衍生物、n型共轭聚合物和n型导电聚合物中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
