[发明专利]场发射体的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种场发射体的制备方法，尤其涉及一种基于碳纳米管结构的场发射体的制备方法。

背景技术

场发射显示器是继阴极射线管(CRT)显示器和液晶显示器(LCD)之后，最具发展潜力的下一代新兴技术。相对于现有的显示器，场发射显示器具有显示效果好、视角大、功耗小以及体积小等优点，尤其是基于碳纳米管的场发射显示器，近年来越来越受到重视。

场发射阴极装置是场发射显示器的重要元件。现有技术中，场发射阴极装置通常通过以下方法制备：提供一基底；在基底上形成多个阴极电极；将碳纳米管通过化学气相沉积法设置在阴极电极上形成电子发射体。

然而，以上述方法制备的场发射阴极装置中，电子发射体中的碳纳米管与阴极电极的结合力不够强，因此在场发射阴极装置电子发射功率较大时，碳纳米管在发射电子时容易被强电场拔出，从而限制了该场发射阴极装置的电子发射能力和寿命，影响了场发射阴极装置的稳定性。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种适用于电子发射功率较大的场发射体的制备方法。

一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层具有相对的第一表面及第二表面，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管间隔设置形成多个微孔；在所述碳纳米管层的第一表面和第二表面分别电镀形成一第一金属层和一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。

一种场发射体的制备方法，包括：提供一第一金属层；提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括相对的第一表面及第二表面，将所述碳纳米管层的第一表面贴附于所述第一金属层的表面；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使断开位置处的碳纳米管层中的碳纳米管暴露出来，形成多个电子发射端。

与现有技术相比较，由本发明提供的场发射体的制备方法，通过电镀的方式使所述碳纳米管牢固的夹持于第一金属层及第二金属层之间，然后再断开的方式形成场发射体，能够有效防止在电子发射的过程中由于碳纳米管质量较轻引起碳纳米管的飘移或脱落，从而提高了电子发射的功率。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的场发射体的制备方法的流程图。

图2是本发明第一实施例提供的场发射体中碳纳米管膜的结构示意图。

图3是本发明第一实施例提供的场发射体中碳纳米管层的结构示意图。

图4是本发明第一实施例在所述碳纳米管层表面电镀金属层的流程图。

图5为本发明第一实施例提供的场发射体的制备方法中断开所述碳纳米管复合层的流程图。

图6为本发明提供的场发射体的制备方法断开多层碳纳米管复合层的流程图。

图7为本发明第二实施例提供的场发射体的制备方法的流程图。

主要元件符号说明

场发射体10

碳纳米管复合层11

碳纳米管层110

第一金属层120

第二金属层130

第一表面111

微孔112

第二表面113

第一子碳纳米管层114

电子发射端115

第二子碳纳米管层116

电极片140

如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图及具体实施例，对本发明提供的场发射体及其制备方法作进一步的详细说明。

请参阅图1，本发明还提供一种场发射体10的制备方法，包括以下步骤：

步骤S10，提供一碳纳米管层110，所述碳纳米管层110包括相对的第一表面111及第二表面113；

步骤S11，在所述碳纳米管层110的第一表面111电镀一第一金属层120，在所述碳纳米管层110的第二表面113电镀一第二金属层130，形成一碳纳米管复合层11；及

步骤S12，断开所述碳纳米管复合层11，使所述碳纳米管层110断开，形成多个电子发射端115。