[发明专利]一种二端恒流器件

权利要求书

1.一种二端恒流器件，其特征在于，包括第一耗尽型晶体管和电阻，

所述第一耗尽型晶体管的源极与所述电阻的第一端连接，所述第一耗尽型晶体管的栅极与所述电阻的第二端连接，其中，所述第一耗尽型晶体管为氮化镓耗尽型晶体管，所述电阻是分离电阻或与第一耗尽型晶体管集成的电阻；

所述二端恒流器件还包括第一型电极和第二型电极，其中，所述第一耗尽型晶体管的漏极作为所述第一型电极，所述第一耗尽型晶体管的栅极作为所述第二型电极；

所述第一耗尽型晶体管为N型耗尽型晶体管，所述第一型电极为所述二端恒流器件的阳极，所述第二型电极为所述二端恒流器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的二端恒流器件，其特征在于，所述二端恒流器件还包括第二耗尽型晶体管，所述第二耗尽型晶体管的漏极与所述第一耗尽型晶体管的源极连接，所述第二耗尽型晶体管的源极与所述电阻的第一端连接，所述第二耗尽型晶体管的栅极与所述第一耗尽型晶体管的栅极及电阻的第二端连接，其中，所述第二耗尽型晶体管为氮化镓耗尽型晶体管，所述电阻是分离电阻或与第一耗尽型晶体和第二耗尽型晶体管集成的电阻。

3.根据权利要求2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述第一耗尽型晶体管的漏极作为所述第一型电极，所述第二耗尽型晶体管的栅极与第一耗尽型晶体管的栅极连接作为所述第二型电极。

4.根据权利要求2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述第二耗尽型晶体管由N个第三耗尽型晶体管构成，所述第三耗尽型晶体管为氮化镓耗尽型晶体管，其中，N为大于等于2的整数；

所述N个第三耗尽型晶体管的栅极连接到一起作为所述第二耗尽型晶体管的栅极，所述第一个第三耗尽型晶体管的漏极作为所述第二耗尽型晶体管的漏极，每个所述第三耗尽型晶体管的漏极与其前一个所述第三耗尽型晶体管的源极连接，第N个所述第三耗尽型晶体管的源极作为所述第二耗尽型晶体管的源极。

5.根据权利要求2所述的二端恒流器件，其特征在于，当施加于所述二端恒流器件两端的电压逐渐增大时，所述第二耗尽型晶体管在所述第一耗尽型晶体管之前达到饱和。

6.根据权利要求1或2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述二端恒流器件的最大耐压根据所述第一耗尽型晶体管的栅漏雪崩击穿电压确定，当施加于所述第一耗尽型晶体管的电压达到第一耗尽型晶体管的栅漏雪崩击穿电压时，所述二端恒流器件被击穿。

7.根据权利要求2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述第一耗尽型晶体管为N型耗尽型晶体管，所述第二耗尽型晶体管为N型耗尽型晶体管，所述第一型电极为所述二端恒流器件的阳极，所述第二型电极为所述二端恒流器件的阴极。

8.根据权利要求1或2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述第一耗尽型晶体管是氮化镓高电子迁移率晶体管，所述第二耗尽型晶体管是氮化镓高电子迁移率晶体管。

9.根据权利要求1或2所述的二端恒流器件，其特征在于，所述第一耗尽型晶体管是氮化镓耗尽型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，所述第二耗尽型晶体管是氮化镓耗尽型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管。