[发明专利]一种菱角型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构及其制备方法

权利要求书

1.一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构，其特征在于：所述Zn_1-xMg_xO纳米结构，其形貌为每个纳米结构包含四个或者两个逐渐变细的分支，形成“菱角”型纳米结构；且所述Zn_1-xMg_xO纳米结构中，x为77％～97％。

2.根据权利要求1所述的一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构的制备方法，其特征在于：采用的制备方法为热蒸发法，包括如下步骤：

(1)将纯锌粉与纯镁粉混合研磨，将研磨后的锌镁混合物倒入石英管中作为源材料，之后将载有所述锌镁混合物的石英管置入管式反应腔底部，将清洗过的衬底置于所述石英管内靠近石英管开口附近；

(2)将载有石英管的管式反应腔置于管式炉中，封闭管式炉；

(3)抽真空至60mTorr之下，以60sccm的流速通入保护气体；

(4)加热，当衬底温度达到1050℃～1150℃，源材料温度达到700℃～800℃时，以60sccm的流速通入氧气，此时开始生长材料，整个生长过程保持温度及炉内压强不变；

(5)材料生长结束，关掉所述保护气体及所述氧气，随炉冷却，最后在所述衬底上即可得到所述“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构。

3.根据权利要求2所述的一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构的制备方法，其特征在于：所述的热蒸发法采用双温区管式炉。

4.根据权利要求2所述的一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构的制备方法，其特征在于：所述的衬底可以采用石英片、蓝宝石、硅片，优选为硅片。

5.根据权利要求2所述的一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构的制备方法，其特征在于：所述的保护气体可为氩气或氮气。

6.根据权利要求3所述的一种“菱角”型高镁含量Zn_1-xMg_xO纳米结构的制备方法，其特征在于：所述双温区管式炉，包含两个加热区，即源材料加热区及衬底加热区，所述源材料加热区及所述衬底加热区对应不同的温控系统；双温区管式炉中放置衬底和源材料的石英管一端开口，且开口位于气流下方向。