[发明专利]发光器件和照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的AlGaInP基有源层；

在所述AlGaInP基有源层上的第二导电覆层；

在所述第二导电覆层上的具有第一浓度的第二导电GaP层；

在所述AlGaInP基有源层与所述第二导电覆层之间的未掺杂AlInP基层；以及

在所述具有第一浓度的第二导电GaP层上的具有第二浓度的第二导电GaP层，所述第二浓度高于所述第一浓度，

所述未掺杂AlInP基层的能级高于所述有源层的能级，并且所述未掺杂AlInP基层具有与所述第二导电覆层的能级相同的能级；

其中所述第二导电GaP层具有Mg掺杂浓度，以及

其中具有所述第二浓度的所述第二导电GaP层具有在1×10¹⁷原子/cm³至9×10¹⁷原子/cm³的范围内的Mg掺杂浓度；

所述发光器件还包括在所述第一导电半导体层的底表面上的反射层，其中所述反射层包括具有镜面结构的分布式布拉格反射器。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电GaP层的所述第一浓度在所述第二导电GaP层的所述第二浓度的10％至30％的范围内。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层在其中捕集Mg以防止Mg扩散，使得形成无Mg区。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层具有的厚度比所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度薄。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层的厚度在所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度的1％至10％的范围内。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度在3μm至4.5μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层防止Mg扩散。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层比所述第二导电覆层薄。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层比所述具有第一浓度的第二导电GaP层薄。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述分布式布拉格反射器是通过将AlAs/AlGaAs层或AlGaInP/AlInP层以四分之一波长的厚度沉积若干次而形成的。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层、所述AlGaInP基有源层、所述第二导电覆层、所述具有第一浓度的第二导电GaP层以及所述具有第二浓度的第二导电GaP层包含相同的材料组成。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述反射层是通过将所述分布式布拉格反射器沉积为具有与所述第一导电半导体层、所述AlGaInP基有源层和所述第二导电覆层的晶格结构层相同的晶格结构层而形成的。

13.一种包括照明单元的照明系统，所述照明单元包括根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件。