[发明专利]一种稀磁半导体的制备方法有效
申请号: | 201410270448.5 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104064314B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 刘天府;魏晨燕;邵青龙;张媛 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01F1/40 | 分类号: | H01F1/40 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人: | 郭德忠,杨志兵 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 制备 方法 | ||
1.一种稀磁半导体的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:
将硝酸盐和丙二酸在醇溶液中溶解得到混合溶液,向混合溶液中加入三乙胺调节pH值至出现沉淀,分离出沉淀;将沉淀用醇溶液洗涤,干燥得到丙二酸配合物,将所述配合物在空气气氛中于400℃~800℃下煅烧≥2h,得到一种稀磁半导体Zn1-xNixO,0.05≤x≤0.2;
所述硝酸盐为硝酸锌和硝酸镍的混合物,硝酸锌:硝酸镍的物质的量之比为1-x:x,0.05≤x≤0.2;硝酸盐:丙二酸的物质的量之比为1:2;所述醇溶液为甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇溶液,溶解和洗涤所用醇溶液为同一种类。
2.根据权利要求1所述的一种稀磁半导体的制备方法,其特征在于:硝酸盐和丙二酸在醇溶液中溶解采用如下方法:采用将硝酸盐溶于醇溶液中,得到硝酸盐的醇溶液,将丙二酸溶解在醇溶液中,得到丙二酸的醇溶液,再将硝酸盐的醇溶液和丙二酸的醇溶液混合。
3.根据权利要求1或2所述的一种稀磁半导体的制备方法,其特征在于:醇溶液为甲醇溶液。
4.根据权利要求1或2所述的一种稀磁半导体的制备方法,其特征在于:加入三乙胺调节混合溶液pH值为中性。
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