[发明专利]一种裂解聚碳硅烷制备β-SiC/SiO2同轴纳米电缆的方法在审
| 申请号： | 201410270868.3 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104064288A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;孟阿兰;孙莎莎 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/016 | 分类号： | H01B13/016 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266061 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 裂解 硅烷 制备 sic sio sub 同轴 纳米 电缆 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种裂解法制备β-SiC/SiO2同轴纳米电缆，以聚碳硅烷为原料，Ni(NO3)3为催化剂，通过直接裂解聚碳硅烷制备出β-SiC/SiO2同轴纳米电缆，其特征在于：唯一原料是分子量为1000～2000的固态聚碳硅烷，摩尔浓度为0.01mol/L的Ni(NO3)3乙醇溶液作催化剂，聚碳硅烷裂解是在真空可控气氛炉内进行，反应条件为真空度为50～80Pa，以10℃/min的升温速率升温至1200℃，保温2h。
2.根据权利要求1所述的β-SiC/SiO2同轴纳米电缆的制备方法，其特征在于：反应原料和带有催化剂的石墨基片在石墨反应室内的放置位置为：聚碳硅烷粉体放在上方，石墨基片放在聚碳硅烷粉体的下方，并用两层碳布将聚碳硅烷粉体与石墨基片隔开。
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