[发明专利]一种铝纳米颗粒尺寸的调控方法及其应用

权利要求书

1.一种铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将经模板法制备好的铝纳米颗粒阵列浸入到磷酸和铬酸的混合酸中，腐蚀0.1～120min；所述混合酸中磷酸的质量分数为3～8%，铬酸的质量分数为1～3%，混合酸的温度为50～100℃；

或将经模板法制备好的铝纳米颗粒阵列浸入到磷酸溶液中，腐蚀0.25～10min；所述磷酸的质量分数为0.01～10%，磷酸的温度为10～80℃；

或将经模板法制备好的铝纳米颗粒阵列浸入到硫酸溶液中，腐蚀0.1～60min；所述硫酸的质量分数为0.01～10%，硫酸的温度为10～80℃；

S2.将铝纳米颗粒阵列取出，去离子水清洗后，置于20～100℃空气中放置0.1～24h，使表面自然生成氧化膜；

S3.循环重复S1和S2，铝纳米颗粒尺寸依次减小，通过调整重复次数即可获得所需尺寸的铝纳米颗粒阵列，进而得到所需尺寸的铝纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，S1所述模板法的步骤为：制备多孔模板后，将多孔模板与平整衬底贴合在一起，在衬底表面的多孔模板上制备铝纳米颗粒阵列。

3.根据权利要求1所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，S1所述铝纳米颗粒阵列浸入到磷酸和铬酸的混合酸中，腐蚀10～30min；所述混合酸中磷酸的质量分数为5～7%，铬酸的质量分数为1～2%，混合酸的温度为50～70℃；

或铝纳米颗粒阵列浸入到磷酸溶液中，腐蚀0.1～2min；所述磷酸的质量分数为2～4%，磷酸的温度为25～35℃；

或铝纳米颗粒阵列浸入到硫酸溶液中，腐蚀5～15min；所述硫酸的质量分数为2～4%，硫酸的温度为25～35℃。

4.根据权利要求1所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，S2所述去离子水清洗后，置于20～85℃空气中放置1～5h。

5.根据权利要求1所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，S2所述去离子水清洗后，还用氮气吹干。

6.根据权利要求2所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，所述衬底是普通玻璃、石英玻璃、单晶硅、蓝宝石或氮化镓。

7.根据权利要求2所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，所述模板是阳极氧化铝模板、聚苯乙烯小球自组装模板或电子束曝光法模板。

8.根据权利要求2所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法，其特征在于，所述制备多孔模板的方法为阳极氧化铝法、聚苯乙烯纳米球刻蚀法、电子束曝光法或激光干涉法；

所述铝纳米颗粒阵列的制备方法为：采用电子束蒸发法或真空热蒸发法在多孔模板上蒸镀一层金属铝，除去模板后制得。

9.权利要求1～8任一所述铝纳米颗粒尺寸的调控方法的应用。

10.利用权利要求1～8任一所述调控方法得到的铝纳米颗粒阵列或铝纳米颗粒。