[发明专利]三氯氢硅还原工艺控制方法

权利要求书

1.三氯氢硅还原工艺控制方法，其特征在于：该控制方法包括初步反应控制阶段、稳定反应控制阶段和终了反应控制阶段，所述初步反应控制阶段的时间为反应开始的前24小时以内，所述稳定反应控制阶段的时间大于24小时且在64小时以内，所述终了反应控制阶段时间大于64小时且在100小时以内，在初步反应控制阶段内SiHCl₃的流量控制在260m³/h以下，H₂的流量控制在520m³/h以下，电流控制在30-1000A之间，在稳定反应控制阶段SiHCl₃的流量控制在175-260m³/h之间，H₂的流量控制在385-520m³/h之间，电流控制在1000-2000A之间，在终了反应控制阶段SiHCl₃的流量控制在130-250m³/h之间，H₂的流量控制在360-520m³/h之间，电流控制在100-800A之间。

2.根据权利要求1所述的三氯氢硅还原工艺控制方法，其特征在于：在初步反应控制阶段中，在反应开始8小时以内，SiHCl₃的流量控制在0-180m³/h，H₂的流量控制在0-370m³/h，电流控制在30-450A，在大于8小时且在16小时内，SiHCl₃的流量控制在180-240m³/h，H₂的流量控制在390-500m³/h，电流控制在510-750A，在大于16小时且在24小时内，SiHCl₃的流量控制在180-260m³/h，H₂的流量控制在390-520m³/h，电流控制在700-1000A。

3.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅还原工艺控制方法，其特征在于：在稳定反应控制阶段中，在大于24小时且在32小时以内，SiHCl₃的流量控制在175-260m³/h，H₂的流量控制在385-520m³/h，电流控制在1000-1250A，在大于32小时且在40小时以内，SiHCl₃的流量控制在170-260m³/h，H₂的流量控制在380-520m³/h，电流控制在1200-1420A，在大于40小时且在48小时以内，SiHCl₃的流量控制在165-260m³/h，H₂的流量控制在375-520m³/h，电流控制在1200-1620A，在大于48小时且在56小时以内，SiHCl₃的流量控制在160-250m³/h，H₂的流量控制在370-520m³/h，电流控制在1200-1820A，在大于56小时且在64小时以内，SiHCl₃的流量控制在155-250m³/h，H₂的流量控制在365-520m³/h，电流控制在1200-2000A。