[发明专利]利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法有效

专利信息
申请号: 201410272790.9 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN105223048B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 徐显会;夏卫星;谢林华;赵国平;杜娟;张健;闫阿儒;刘平 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N23/04
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李芙蓉
地址: 315201 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 利用 电子 全息 技术 表征 磁性 纳米 材料 微观 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S100,制备洛伦兹透射电镜所需的磁性纳米材料的试样;

S200,在洛伦兹透射电镜中对所述试样进行观察,并拍摄第一全息图和第二全息图,所述第一全息图包括第一物体全息图和第一真空全息图,所述第二全息图包括第二物体全息图和第二真空全息图;

其中,所述S200包括以下步骤:

S210,将所述试样置于所述洛伦兹电镜的样品台上,拍摄所述试样中一个或多个颗粒对应的全息图,得到所述第一物体全息图;并拍摄所述试样中空白处对应的全息图,得到所述第一真空全息图;以及

S220,将所述样品台上的试样翻面,再次拍摄所述试样中与S210中相同的一个或多个颗粒的全息图,得到所述第二物体全息图;并拍摄所述试样中空白处对应的全息图,得到所述第二真空全息图;

S300,分别对所述第一全息图和所述第二全息图进行重构;

其中,所述第一全息图重构后得到第一振幅图和第一相位图;所述第二全息图重构后得到第二振幅图和第二相位图;

S400,将所述第一振幅图和所述第二振幅图对齐,并记录所述对齐过程中的操作代码;

S500,根据S400中的操作代码对齐所述第一相位图和所述第二相位图;

S600,对所述对齐后的第一相位图和第二相位图进行后续处理,得到所述磁性纳米材料的微观磁结构。

2.根据权利要求1所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S100中,所述磁性纳米材料的试样的厚度小于100nm。

3.根据权利要求1所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S100包括以下步骤:

分散:将待测磁性纳米材料稀释在溶剂中,用超声分散3~10min;

滴样:取所述分散步骤中超声完毕后的上层清液,滴3~4滴于厚度小于10nm的碳膜或微栅上,溶剂完全挥发后得到洛伦兹透射电镜所需的磁性纳米材料的试样。

4.根据权利要求1所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S200中,所使用的洛伦兹透射电镜的电子全息空间分辨率为3nm。

5.根据权利要求1所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S300中,所述第一全息图和所述第二全息图的重构包括以下步骤:

分别对所述第一全息图和所述第二全息图进行傅里叶变化;

分别对所述经过傅里叶变化的第一全息图和第二全息图进行反傅里叶变化;

所述第一全息图进行反傅里叶变化后得到第一振幅图和第一相位图;所述第二全息图进行反傅里叶变化后得到第二振幅图和第二相位图。

6.根据权利要求1所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S600中,对所述对齐后的第一相位图和第二相位图进行后续处理包括以下步骤:

将所述对齐后的第一相位图和第二相位图相减,得到由所述试样的磁信号引起的相位变化图;

将得到的由所述试样的磁信号引起的相位变化图进行平滑处理后放大,得到所述试样的微观磁结构图像。

7.根据权利要求6所述的利用电子全息技术表征磁性纳米材料微观磁结构的方法,其特征在于,S600中,对所述对齐后的第一相位图和第二相位图进行后续处理还包括以下步骤:

将所述对齐后的第一相位图和第二相位图相加,平滑处理后放大,得到由所述试样的电场信号引起的相位变化图。

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