[发明专利]ITO薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片在审
| 申请号： | 201410272974.5 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105331936A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 耿波;王厚工;赵梦欣;文莉辉;夏威;陈鹏;刘建生;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 沉积 方法 gan led 芯片 | ||
1.一种ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100，利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；
S200，利用直流溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，所述步骤S100中，靶材的偏压为-5V～-150V。
3.根据权利要求1所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，所述步骤S100中，射频功率为100W～600W，直流功率为5W～50W；
所述步骤S200中，直流功率为300～800W。
4.根据权利要求1所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，所述ITO缓冲层与所述ITO薄膜层的沉积厚度之比为1:1.6～20。
5.根据权利要求1所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，所述ITO缓冲层的沉积厚度为10nm～50nm，所述ITO薄膜层的沉积厚度为80nm～200nm。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S100和S200中，还包括以下步骤：
向反应腔室中通入氧气和氩气；其中，通入的氧气流量为1sccm～10sccm，通入的氩气流量为150sccm～250sccm。
7.根据权利要求6所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S100中，采用如下工艺参数：通入的氧气流量为5sccm，通入的氩气流量为200sccm；使用的直流功率为10W，使用的射频功率为300W。
8.根据权利要求6所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，
在所述步骤S200中，采用如下工艺参数：通入的氧气流量为5sccm，通入的氩气流量为200sccm；使用的直流功率为500W。
9.根据权利要求7或8所述的ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，所述ITO缓冲层的厚度为20nm，所述ITO薄膜层的厚度为100nm。
10.一种GaN基LED芯片，包括ITO透明电极，其特征在于，所述ITO透明电极采用权利要求1～9任一项所述的ITO薄膜的沉积方法制备而成。
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