[发明专利]一种HIT太阳电池及其电极制备及串联的方法有效
申请号: | 201410273118.1 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN104037265A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 韩涵;张鹤仙;蒋媛媛;黄卓;曾祥超 | 申请(专利权)人: | 陕西众森电能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 710018 陕西省西安市未央*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hit 太阳电池 及其 电极 制备 串联 方法 | ||
1.一种HIT太阳电池电极制备及串联的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将若干根金属丝平行固定起来,形成导电带,其中,金属丝与太阳电池片同宽,长为太阳电池片两倍,且金属丝为镀有锡鉍铟合金的铜丝;
2)在背面封装玻璃上铺好一层EVA膜,将导电带依次铺设在EVA膜上,在每个导电带前后分别铺设一片太阳电池片,从而将太阳电池片串联,在串联的太阳电池片正负极端分别铺设涂锡铜带将正负极电流引出;
3)在铺设好的太阳电池片上方依次铺一层EVA膜和正面封装玻璃;
4)将导电带上的金属丝与TCO薄膜之间的空间进行抽真空处理,形成真空状态;
5)将整个HIT太阳电池的温度上升到80℃,此时EVA膜熔化,随着温度继续上升,EVA膜发生交联反应,温度上升到138℃后,铜丝表面锡鉍铟合金熔化;
6)通过气囊挤压导电带,使金属丝紧密贴在TCO薄膜表面,熔融的锡鉍铟合金与太阳电池表面的TCO薄膜紧密贴合;
7)通过降温使EVA薄膜、锡鉍铟合金凝固固化,层压结束。
2.根据权利要求1所述的HIT太阳电池电极及串联的方法,其特征在于,将金属丝平行排列连接两片包含PET和EVA两层材料的复合膜,金属丝前半部分附着在一片复合膜的下方,且复合膜的EVA面朝下与金属丝接触,金属丝后半部分附着在另一片复合膜的上方,且复合膜的EVA面朝上与金属丝接触,两片复合膜边缘靠近,由此制备出导电带,其中,复合膜与太阳电池片大小相同,金属丝长为太阳电池片两倍,PET膜厚度50-200微米,EVA膜厚度为5-50微米。
将导电带前半部分铺在一片太阳电池的上面,后半部分铺在下一片太阳电池片的下面。
3.根据权利要求1所述的HIT太阳电池电极制备及串联的方法,其特征在于,将若干根金属丝通过横向金属丝平行固定起来,形成金属丝网的导电带,其中,前半部分金属丝网的导电带中,横向金属丝在上边,后半部分金属丝网的导电带中,横向金属丝在下边。
4.根据权利要求3所述的HIT太阳电池电极制备及串联的方法,其特征在于,金属丝网长度方向为导电汇流方向,称为纵向,另一方向为横向,纵向金属丝数量为50-150根,横向金属丝数量小于50根。
5.根据权利要求1所述的HIT太阳电池电极制备及串联的方法,其特征在于,金属丝的线径为10μm-100μm。
6.根据权利要求1所述的HIT太阳电池电极制备及串联的方法,其特征在于,所述的金属丝的镀层为锡鉍铟合金,其锡鉍铟组分可根据层压温度调整,保持熔点低于层压温度。
7.一种HIT太阳电池,其特征在于,包括金属丝导电带和太阳电池片,所述的太阳电池片包括N型硅板,N型硅板的正面设置有本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,N型硅板的背面依次设置有本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜上均设置有透明导电氧化物薄膜;金属丝导电带的前半部分下设置有太阳电池片,金属丝导电带的后半部分上设置有太阳电池片,其中,金属丝导电带的金属丝与太阳电池片同宽,长为太阳电池片两倍。
8.根据权利要求7所述的HIT太阳电池,其特征在于,所述的金属丝导电带由金属丝和包含PET和EVA两层材料的复合膜组成,金属丝为镀有锡鉍铟合金的铜丝,金属丝平行排列连接两片复合膜,其中,金属丝前半部分附着在一片复合膜的下方,且复合膜的EVA面朝下与金属丝接触,金属丝后半部分附着在另一片复合膜的上方,且复合膜的EVA面朝上与金属丝接触,两片复合膜边缘靠近,形成导电带,其中,复合膜与太阳电池片大小相同,金属丝长为太阳电池片两倍,PET膜厚度50-200微米,EVA膜厚度为5-50微米。
9.根据权利要求8所述的HIT太阳电池,其特征在于,复合膜的形状为正方形或者准正方形。
10.根据权利要求7所述的HIT太阳电池,其特征在于,所述的金属丝导电带由金属丝网构成,金属丝材质为镀有锡鉍铟合金的铜丝,金属丝网长度方向为导电汇流方向,称为纵向,另一方向为横向,纵向金属丝数量为50-150根,横向金属丝数量小于50根,前端金属丝导电带中,横向金属丝在上边,后端金属丝导电带中,横向金属丝在下边。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的