[发明专利]CMOS感光元件及制备方法

权利要求书

1.一种CMOS感光元件，其特征在于，所述CMOS感光元件包括一衬底，所述衬底中设置有PD层，位于该衬底顶部设置有一ILD层，位于所述ILD层中设置有第一反射镜，位于所述衬底的下表面设置有第二反射镜；

在所述第一反射镜和第二反射镜之间形成法布里-珀罗谐振腔(Fabry-Perotcavity)，以提高所述CMOS感光元件对特定光波的感光效率。

2.如权利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述第一反射镜和第二反射镜均为布拉格反射镜。

3.如权利要求2所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述第一反射镜自下而上依次包括有若干层间隔设置的第一反射层和第二反射层；

所述第二反射镜自下而上依次包括有若干层间隔设置的所述第二反射层和所述第一反射层。

4.如权利要求3所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述第一反射层为SiO₂，所述第二反射层为SiN。

5.如权利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述特定光波为红光光波。

6.如权利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述CMOS感光元件还设置有微透镜(U-lens)。

7.一种CMOS感光元件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底，并在所述衬底中制备PD层；

在所述衬底之上沉积一层ILD层；

在所述ILD层的上表面制备第一反射镜；

在所述第一反射镜的上表面沉积一层氧化物后进行接触孔制备工艺，并完成后段制程后作为器件片；

提供一空白晶圆，并在所述空白晶圆的上表面制备第二反射镜，作为支撑片；

对所述器件片背面进行减薄，并将所述器件片的背面和所述支撑片的正面键合；

其中，所述第一反射镜和第二反射镜之间形成法布里-珀罗腔，从而提高所述CMOS感光元件对特定光波的感光效率。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一反射镜和第二反射镜均为布拉格反射镜。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，制备所述第一反射镜的步骤如下：

沉积第一反射层覆盖在所述ILD层的上表面，继续沉积第二反射层覆盖在所述第一反射层的上表面，之后进行反复多次沉积所述第一反射层和所述第二反射层，形成所述第一反射镜；以及

制备所述第二反射镜的步骤如下：

沉积所述第二反射层覆盖在所述空白晶圆层的上表面，继续沉积所述第一反射层覆盖在所述第二反射层的上表面，之后进行反复多次沉积所述第二反射层和所述第一反射层，形成所述第二反射镜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一反射层为SiO₂，所述第二反射层为SiN。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述特定光波为红光光波。