[发明专利]一种COB陶瓷基板制备方法及COB光源

权利要求书

1.一种COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将氧化铝混合浆料注入流延机，以得到流延坯片；

步骤2、采用冲切模具对所述流延坯片进行冲切，以得到单片或连片；

步骤3、对单片或连片进行排胶和烧结处理，以得到氧化铝陶瓷原板；

步骤4、在所述氧化铝陶瓷原板上印制线路图案，以得到COB陶瓷基板。

2.如权利要求1所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述氧化铝混合浆料的制备过程为：

将氧化铝粉末、去离子水和分散剂按照1:1:0.012的比例进行混合后球磨36小时，以得到浆料；

加入氨水将浆料的pH 值调整到11.0，以得到调整浆料；

将粘结剂、塑化剂和消泡剂按照1:1:0.02比例混合，以得到混合液，将混合液与调整浆料按1:10进行投放，再球磨24小时，最后真空脱泡2个小时。

3.如权利要求2所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述分散剂为聚丙烯酸。

4.如权利要求2所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇。

5.如权利要求2所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述塑化剂为聚乙二醇。

6.如权利要求2所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述消泡剂为正丁醇。

7.如权利要求1所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，在步骤2中，连片中的片与片之间进行V割预切处理，V割预切处理的V割深度为流延坯片的厚度的70%。

8.如权利要求1所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，在步骤3中，所述排胶和烧结处理为：将单片或连片以1.0℃/min 速度升温到 600℃，在 600℃保温 3小时进行排胶，再以 6.0℃/min速度升温到1650℃，在 1650℃保温 3小时进行烧结，最好进行自然降温。

9.如权利要求1所述的COB陶瓷基板制备方法，其特征在于，在步骤4中，所述印制线路图案的过程为：

根据LED芯片的电路设计，使用对应的网板，通过丝网印刷机将银浆印刷至氧化铝陶瓷原板，以在所述氧化铝陶瓷原板上形成一银浆电路烧结层；

对需裸露在外界的银浆电路烧结层上的线路上刷一层玻璃浆料，以形成电路绝缘保护层；

然后进行高温烧结和气氛还原处理，得到具有线路排布的COB陶瓷基板。

10.一种COB光源，其特征在于，包括由权利要求1-9任一项所述的COB陶瓷基板制备方法制成的COB陶瓷基板和至少一LED芯片，LED芯片贴装于所述COB陶瓷基板上，所述COB陶瓷基板的周缘设置有围坝，所述围坝围成的空间内填充有荧光硅胶，以使所述LED芯片藏于所述荧光硅胶内并与外界分隔。