[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板、显示装置及其制造方法。

背景技术

如图1所示，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是由阵列基板11、彩色滤光片基板13以及充满于这两块基板之间的液晶13共同形成，背光源14从阵列基板11一侧入射，在阵列基板11和彩色滤光片基板上分别贴有阵列侧偏光板115和彩色滤光片侧偏光板124。阵列基板11上一般包括栅极金属层111、栅极绝缘层、半导体层112、源漏金属层113、源漏绝缘层、有机绝缘层、像素电极层114等5-6次成膜工艺；彩色滤光片侧包括黑色矩阵层121、色阻层122(绿色色阻层、红色色阻层、蓝色色阻层)、共通电极层123、支撑柱层(以下称为PS)一般6次成膜工艺。

多一次工艺工程，就会增加面板不合格发生的概率。另外，在成膜完成之后，彩色滤光片基板和阵列基板的贴合精度也会影响产品的合格率，贴合不良会导致产品漏光。

发明内容

通过有效的合并生产工序和材料共用，可以减少不良降低成本。将彩膜基板和阵列基板上部分膜层共用，可以减少成膜次数，节省材料，降低成本。

本发明一实施例提供一种阵列基板，其包括：一基板，其上依次配置有第一金属层、金属绝缘层、半导体层、第二金属层、保护绝缘层、透明有机绝缘膜、像素电极层、黑色有机绝缘层；其中，第一金属层，其包括：多条扫描线，每一所述扫描线设置在每一该像素区域的水平中线上，且与多条数据线彼此交叉设置；多个存储电极，配置于像素电极的的下方，且与第一公共电极与第二公共电极的投影区域重叠，且该存储电极通过第二接触孔与该像素电极电性连接；第二金属层，其包括：多条第一公共电极线，具有均匀分布缝隙的非连续分布线；多条第二公共电极线，与该多条第一公共电极线交叉连接围成像素区域阵列；多条数据线，每一所述数据线设置在每一该像素区域的垂直中线上，且穿过对应该第一公共电极线的该缝隙；主动元件，设置于每一该数据线与每一该扫描线交叉区域；多个像素电极，每一该像素电极通过第一接触孔与该主动元件电性连接；黑色有机绝缘层，形成第一高度图案和第二高度图案，其中，第一高度图案为支撑柱，第二高度图案为黑色矩阵。

优选地，该第一高度图案和该第二高度图案通过半色调掩膜版或者灰色调掩膜版曝光形成。

优选地，该黑色矩阵覆盖该扫描线、该存储电极、该数据线、该第一、二公共电极线、该主动元件；该支撑柱均匀布置在该扫描线与数据线交叉区域和/或该第一、二公用电极线交叉区域。

本发明还提供了一种显示装置，其包括上述实施例所述的阵列基板，还包括一对置基板，该基板为覆盖有ITO的玻璃基板；该阵列基板与该对置基板之间夹设有显示介质层。

本发明还提供了一种如包括上述实施例所述的所述阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：

a.在该基板上形成第一金属层，其包括扫描线和像素存储电极；

b.形成半导体图形，半导体材料为非晶硅，多晶硅或者金属氧化物；

c.形成源、漏电极，数据线，第一、二公共电极线；

d.形成保护绝缘层、透明有机绝缘膜；

e.形成接触孔；

f.形成像素电极；

g.形成黑色有机绝缘层，通过半色调掩膜版或者灰色调掩膜版，形成第一高度图案和第二高度图案，其中，第一高度图案为支撑柱，第二高度图案为黑色矩阵。

优选地，该保护绝缘层为SiO2、SiNx或Al2O3，且该保护绝缘层的厚度为1000A—4000A，该有机绝缘层的厚度在1um-3um。

本发明与现有技术相比，其优点在于：通过设置黑色有机绝缘材料，同时形成黑色矩阵和支撑柱，可以有效的减少液晶面板的工艺流程，提高产品的合格率，另外由于黑色矩阵位于阵列基板上，彩色滤光片基板和阵列基板没有对位精度要求，因此，产品的合格率也可以得到进一步的提高。

附图说明

图1为现有技术中显示装置的剖面示意图

图2为本发明显示装置的结构示意图；

图3为本发明图2中阵列基板上的像素结构示意图；

图4(a)为本发明图3中像素结构的第一金属层图案的平面图；

图4(b)为本发明图3中像素结构的第一金属层图案AA′方向的剖面图；

图5(a)为本发明图3中像素结构的半导体层图案的平面图；

图5(b)为本发明图3中像素结构的半导体层图案AA′方向的剖面图；

图6(a)为本发明图3中像素结构的第二金属层图案的平面图；