[发明专利]高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：包括在下步骤，

步骤一，预热，硅片进入管式镀膜设备反应腔体，通入氮气和氨气，氮气流量为1000-6000sccm/min，氨气流量为1000-6000sccm/min，打开射频电源进行对石墨舟和硅片进行加热，射频功率为4000-10000W，压力范围0.8-1.8Torr，时间为100-400sec，温度为300-550℃；

步骤二，氧化硅膜层沉积，通入一氧化二氮气体，气体流量为1000-6000sccm/min，压力范围0.8-1.8Torr，沉积时间为50-200sec，在硅片表面沉积一层厚度为1-10nm的氧化硅膜层；

步骤三，抽真空，将反应腔体中反应残留气体抽出，为后续氮化硅和氮氧化硅的沉积做准备；

步骤四，沉积氮化硅膜层，向反应腔体充入反应气体氨气和硅烷，硅烷流量200-1000sccm/min，氨气流量2000-10000sccm/min，压力范围0.8-1.8Torr；射频电源打开，射频功率为4000-10000W，在镀膜过程中通过控制反应气体比例、压力以及射频功率的变化形成一层或多层膜厚20nm-80nm、折射率2.0-2.4的氮化硅膜层；

步骤五，氮氧化硅膜层沉积，通入沉积氮氧化硅所需的气体氨气、硅烷和一氧化二氮，硅烷流量50-500sccm/min，一氧化二氮流量1000-6500sccm/min，氨气流量0-1000sccm/min，射频功率为5000-11000W，压力为0.7-1.7Torr；射频电源打开，在镀膜过程中通过控制反应气体比例、压力以及射频功率的变化形成膜厚10nm-150nm、折射率1.5-2.0的氮氧化硅膜层；

步骤六，抽真空，通氮气，完成工艺。

2.根据权利要求1所述的高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述步骤四中，硅烷流量为600－800sccm/min，氨气流量为3000－7000sccm/min。