[发明专利]一种超大型细晶钼平面靶的制备方法

权利要求书

1.一种超大型细晶钼平面靶的制备方法，采用纯度＞99.95%的钼粉制得，其中，钼平面靶的长度＞450㎜，宽度＞320㎜，厚度＞75㎜，其特征在于：

步骤一、取粒度2.8-3.8μm的钼粉，装入事先制好的橡胶模套内，采160-200MPa静压成型，后置于中频炉，在氢气的气氛下，保持温度1900-2000℃烧结55-65小时，烧成板坯后，备用；

步骤二、从中频炉取出烧成的板坯，置入事先制好的模具中，控制板坯的温度1350-1400℃，锻打板坯模具，锻打时控制板坯的变形量＜50%，锻打成长度＞450㎜，宽度＞320㎜，厚度＞75㎜的板状构件；

步骤三、卸掉模具，取出锻打成型的板状构件，置入1000-1200℃的回火炉中，保持1-3小时，稳定细晶组织；

步骤四、对板状构件进行机械加工，后经清洗，干燥，制得超大型细晶钼平面靶。

2.根据权利要求1所述的一种超大型细晶钼平面靶的制备方法，其特征在于：所述的烧结，可在真空下烧结，真空烧结时温度从零度至2000℃逐步升温。

3.根据权利要求1所述的一种超大型细晶钼平面靶的制备方法，其特征在于：所述步骤一中烧结过程中，中频炉内保持温度2000℃烧结60小时。

4.根据权利要求1所述的一种超大型细晶钼平面靶的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，锻打之前控制板坯的温度1350℃。

5.根据权利要求1所述的一种超大型细晶钼平面靶的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，取出锻打成型的板状构件置入1200℃的回火炉中，保持2小时，稳定细晶组织。