[发明专利]一种低温钯基氢气传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410275104.3 申请日: 2014-06-19
公开(公告)号: CN104020201A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 李世彬;张鹏;余宏萍;王健波;吴双红;陈志 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谭新民
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 氢气 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种低温钯基氢气传感器,其特征在于,包括:

阳极氧化铝支撑层;

纳米金属钯颗粒层,所述纳米金属钯颗粒层设置在所述阳极氧化铝支撑层上,并且包括多个纳米金属钯颗粒;

叉指电极,所述叉指电极设置在所述纳米金属钯颗粒层上。

2.如权利要求1所述的低温钯基氢气传感器,其特征在于,所述叉指电极包括:

第一电极,所述第一电极包括第一支臂、第二支臂和第一连接臂,并且所述第一支臂和所述第二支臂通过所述第一连接臂相互连接;

第二电极,所述第二电极包括第三支臂、第四支臂和第二连接臂,并且所述第三支臂和所述第四支臂通过所述第二连接臂相互连接;

其中,

所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之间,所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之间。

3.如权利要求2所述的低温钯基氢气传感器,其特征在于,所述第一电极还包括第五支臂,所述第五支臂连接到所述第一连接臂上,并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之间。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的低温钯基氢气传感器,其特征在于:所述叉指电极的材料为金、银、铝或者镍镉合金。

5.一种制造低温钯基氢气传感器的方法,其特征在于,包括:

制备阳极氧化铝支撑层;

在所述阳极氧化铝支撑层上形成纳米金属钯颗粒层,其中所述纳米金属钯颗粒层包括多个纳米金属钯颗粒;

在所述纳米金属钯颗粒层上形成叉指电极。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述叉指电极包括:

第一电极,所述第一电极包括第一支臂、第二支臂和第一连接臂,并且所述第一支臂和所述第二支臂通过所述第一连接臂相互连接;

第二电极,所述第二电极包括第三支臂、第四支臂和第二连接臂,并且所述第三支臂和所述第四支臂通过所述第二连接臂相互连接;

其中,

所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之间,所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之间。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一电极还包括第五支臂,所述第五支臂连接到所述第一连接臂上,并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之间。

8.如权利要求5至7中任意一项所述的方法,其特征在于:所述叉指电极的材料为金、银、铝或者镍镉合金。

9.如权利要求5至7中任意一项所述的方法,其特征在于,在所述阳极氧化铝支撑层上形成纳米金属钯颗粒层的步骤包括:用电子束蒸发法、热蒸发法或者磁控溅射法在所述阳极氧化铝支撑层上形成所述纳米金属钯颗粒层。

10.如权利要求5至8中任意一项所述的方法,其特征在于,在所述纳米金属钯颗粒层上形成叉指电极的步骤包括:用剥离法或者刻蚀法在所述纳米金属钯颗粒层上形成所述叉指电极。

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