[发明专利]非接触充电系统和非接触充电方法在审
申请号: | 201410275888.X | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104242377A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 秋山恭司;山平敏树 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02J17/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 充电 系统 方法 | ||
1.一种非接触充电系统,包括:
电功率发射设备,可操作为通过采用发射谐振线圈以谐振频率执行电功率发射;以及
电功率接收设备,可操作为通过采用接收谐振线圈以谐振频率执行电功率接收,
其中所述电功率接收设备包括:
调整单元,可操作为调整所述接收谐振线圈的谐振频率;以及
接收侧控制单元,可操作为当满足指定条件时指示所述调整单元根据指定模式调整所述谐振频率,以及
其中所述电功率发射设备包括:
反射波检测单元,可操作为检测伴随所述电动率发射的来自所述电功率接收设备的反射波;
提取单元,可操作为提取由所述反射波检测单元检测到的并且随着所述谐振频率的调整而改变的反射波中包括的接收信息;以及
发射侧控制单元,可操作为基于所述提取单元提取的所述接收信息来控制来自所述发射谐振线圈的电功率发射。
2.根据权利要求1所述的非接触充电系统,其中所述调整单元包括:
可变电容器,与所述接收谐振线圈并联设置并且具有根据来自所述接收侧控制单元的指令可变的电容值。
3.根据权利要求1所述的非接触充电系统,其中当所述反射波超过指定范围时,所述反射波检测单元检测到异常。
4.根据权利要求1所述的非接触充电系统,
其中所述提取单元从根据所述谐振频率的调整而改变的反射波提取二进制数据,以及
其中所述发射侧控制单元基于所述提取单元提取的所述二进制数据来控制来自所述发射谐振线圈的所述电功率发射。
5.根据权利要求1所述的非接触充电系统,
其中所述提取单元提取根据所述谐振频率的调整而改变的反射波的频率数据,以及
其中所述发射侧控制单元基于所述提取单元提取的频率数据来控制来自所述发射谐振线圈的电功率发射。
6.根据权利要求1所述的非接触充电系统,其中所述发射侧控制单元基于所述接收信息控制待从所述发射谐振线圈发射到所述接收谐振线圈的电功率的电平。
7.根据权利要求1所述的非接触充电系统,其中所述发射侧控制单元基于所述接收信息停止来自所述发射谐振线圈的所述电功率发射。
8.一种非接触充电方法,采用发射谐振线圈用于以谐振频率执行电功率发射并采用接收谐振线圈用于以所述谐振频率执行电功率接收,所述非接触充电方法包括以下步骤:
当满足指定条件时,根据指定模式调整所述接收谐振线圈的所述谐振频率;
检测伴随去往所述接收谐振线圈的电功率发射的反射波;
提取随着所述谐振频率的调整而改变的所检测的反射波中包括的接收信息;以及
基于所述提取的接收信息来控制来自所述发射谐振线圈的电功率发射。
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