[发明专利]具有穿通接触部的ASIC构件有效
| 申请号： | 201410275934.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241228B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | H·韦伯;H·屈佩尔斯;J·弗莱;J·赖因穆特;N·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿通 填充 背侧沟槽 电路功能 电连接 衬底 | ||
1.一种ASIC构件(120)，其具有一个有效的前侧并且具有至少一个穿通接触部(15)，在所述前侧中实现电路功能(20)，所述至少一个穿通接触部建立所述有效的前侧和构件背侧之间的电连接，其特征在于，
●所述穿通接触部(15)在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定；
●所述穿通接触部(15)在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定；
●所述背侧沟槽(154)通到所述填充的前侧沟槽(151)中，
所述前侧沟槽(251)通过至少一个介电层(252)相对相邻的半导体材料电绝缘，所述前侧沟槽(251)以导电材料(253)填充，所述背侧沟槽(254)通过至少一个介电层(256)相对所述相邻的半导体材料电绝缘，并且至少一个印制导线(257)从所述构件背侧上的布线层(258)在所述背侧沟槽(254)的壁上引导至所述前侧沟槽(251)的导电填充(253)。
2.根据权利要求1所述的ASIC构件(220；320)，其特征在于，所述前侧沟槽(251；351)以多晶硅(253)填充。
3.根据权利要求1所述的ASIC构件(320)，其特征在于，所述前侧沟槽(351)以金属(353)填充，并且至少一个金属印制导线(357)从所述构件背侧上的布线层(358)在所述背侧沟槽(354)的壁上引导至所述前侧沟槽(351)的金属填充(353)。
4.根据权利要求3所述的ASIC构件(320)，其特征在于，所述金属(353)是铜。
5.根据权利要求3所述的ASIC构件(320)，其特征在于，所述至少一个金属印制导线(357)是铜印制导线。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的ASIC构件，其特征在于，所述前侧沟槽延伸至前侧的电路功能的底部沟槽绝缘的深度。
7.一种垂直混合集成部件(100)，其具有根据权利要求1至6中任一项所述的至少一个ASIC构件(120)和至少一个另外的构件(110)，其中，所述ASIC构件(120)以其背侧装配在所述另外的构件(110)上，从而所述穿通接触部(15)的背侧沟槽(154)是封闭的，并且在所述穿通接触部(15)与所述另外的构件(110)之间存在导电连接(155)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410275934.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
