[发明专利]具有金属层于漂移区之上的半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一衬底；

一漂移区(drift region)，配置于该衬底中；

一绝缘层，配置于该衬底之上且覆盖该漂移区，该绝缘层包括一第一边缘与一第二边缘，该第二边缘相对于该第一边缘；

一栅极层(gate layer)，配置于该衬底之上且覆盖该绝缘层的该第一边缘；以及

一金属层，配置于该衬底与该绝缘层之上，该金属层包括一金属部分，该金属部分连接于该栅极层且重叠于该绝缘层的该第一边缘，

其中该金属部分包括一第一边缘，该金属部分的该第一边缘位于比该金属部分的相对的一第二边缘更接近于该绝缘层的一中央部分之处，

沿一通道长度方向由该金属部分的该第一边缘至该绝缘层的该第一边缘的一距离是a，

由该绝缘层的该第一边缘至该绝缘层的该第二边缘的一距离是L，且a/L比值是等于或高于0.46。

2.根据权利要求1所述的元件，其中该金属部分是一第一金属部分，该金属部分连接于该栅极层且重叠于该绝缘层的该第一边缘，

该金属层更包括一第二金属部分，该第二金属部分可连接以接收一开机电压(boot voltage)且重叠于该绝缘层，

该第二金属部分包括一第一边缘，该第二金属部分的该第一边缘是位于比该第二金属部分的相对的一第二边缘更接近于该绝缘层的该中央部分之处，

沿该通道长度方向由该第二金属部分的该第一边缘至该绝缘层的该第二边缘的一距离是b，且

b/L比值是等于或低于0.3。

3.根据权利要求2所述的元件，其中该金属层更包括一第三金属部分，该第三金属部分是电性连接于配置于该衬底中的一漏极区，且

该第三金属部分是可连接以接收不同于该开机电压的一漏极电压(drain voltage)。

4.根据权利要求1所述的元件，其中该距离L的范围是由30微米至150微米。

5.根据权利要求1所述的元件，其中该金属层是一第一金属层，且该元件更包括至少一另外的金属层，该另外的金属层是配置于该衬底与该第一金属层之间。

6.根据权利要求1所述的元件，其中该绝缘层是由一场氧化层所形成。

7.根据权利要求1所述的元件，其中该绝缘层是形成于一浅沟道隔离结构(shallow trench isolation structure)中。

8.根据权利要求1所述的元件，其中该元件是一横向漏极金属氧化物半导体元件(Lateral Drain Metal-Oxide-Semiconductor device,LDMOS device)。

9.根据权利要求1所述的元件，其中该元件是一绝缘栅极双极晶体管元件(Insulated-Gate Bipolar Transistor device,IGBT device)。

10.根据权利要求1所述的元件，其中该元件是一二极管。

11.根据权利要求1所述的元件，其中该衬底是一P型半导体。

12.根据权利要求1所述的元件，其中该衬底是一N型半导体。

13.根据权利要求1所述的元件，其中该漂移区包括交替配置的多个第一部分与第二部分，

这些第一部分中的各个包括一顶区(top region)与一阶区(grade region)，该顶区具有一第一导电型，该阶区具有一第二导电型，且

这些第二部分中的各个不包括该顶区与该阶区。