[发明专利]一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元

权利要求书

1.一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于，所述存储器单元至少包括：

第一交叉耦合型反相器，由第一上拉管和第二上拉管组成；

第二交叉耦合型反相器，由第一下拉管和第二下拉管组成；

传输管，由第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管组成，其中：

所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一上拉管的漏极与所述第二上拉管的栅极相连，所述第一上拉管的源极和第二上拉管的源极均接高电平；

所述第一下拉管的栅极与第三存取管的源极、第四存取管的漏极相连，第一下拉管的漏极与所述第一上拉管的漏极相连，所述第二下拉管的栅极与所述第一存取管的源极、第二存取管的漏极相连，所述第二下拉管的漏极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一下拉管的源极和第二下拉管的源极均接低电平；

所述第一存取管的源极与第二存取管的漏极相连，所述第一存取管的漏极连接存储单元的位线，所述第二存取管的源极与第一上拉管的漏极、第一下拉管的漏极相连构成第一存储节点，所述第一存取管的栅极和第二存取管的栅极均受字线控制；

所述第三存取管的源极与第四存取管的漏极相连，所述第三存取管的漏极连接存储单元的反位线，所述第四存取管的源极与第二上拉管的漏极、第二下拉管的漏极相连构成第二存储节点，所述第三存取管的栅极和第四存取管的栅极均受字线控制；

或者：

所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一上拉管的漏极与所述第二上拉管的栅极相连，所述第一上拉管的源极和第二上拉管的源极均接高电平；

所述第一下拉管的栅极与所述第四存取管的漏极相连，所述第一下拉管的漏极与第一上拉管的漏极、第一存取管的源极以及第二存取管的源极相连构成第一存储节点，第二下拉管的栅极与所述第二存取管的漏极相连，所述第二下拉管的漏极与第二上拉管的漏极、第三存取管的源极以及第四存取管的源极相连构成第二存储节点，所述第一下拉管的源极和第二下拉管的源极均接低电平；

所述第一存取管的漏极连接存储单元的位线，所述第一存取管的栅极和第二存取管的栅极均受字线控制；

所述第三存取管的漏极连接存储单元的反位线，所述第三存取管的栅极和第四存取管的栅极均受字线控制。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一上拉管和第二上拉管均为PMOS管，两个管子尺寸严格匹配，以增大单元稳定性。

3.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一下拉管和第二下拉管均为NMOS管，两个管子尺寸严格匹配，以增大单元稳定性。

4.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管以及第二下拉管均采用体引出技术，将体区接到固定电位。

5.根据权利要求4所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一上拉管和第二上拉管的体区接到高电平，所述第一下拉管和第二下拉管的体区接到低电平。

6.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管均为NMOS管。

7.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于：所述抗单粒子效应的静态随机存储器单元的制作衬底为绝缘体上硅衬底SOI。

8.一种利用权利要求1～7任一项所述的静态随机存储器单元来提高抗单粒子效应的方法。