[发明专利]多位高集成度垂直结构存储器的制备方法

权利要求书

1.一种多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，该方法包括：

步骤1：在衬底上，淀积第一电热隔离材料层，旋涂掩模层并光刻形成第一掩模开槽；然后，在第一掩模开槽及第一电热隔离材料层暴露的上表面上，淀积第一电极材料层，并去除第一掩模开槽，剥离形成第一下电极；其次，在第一电热隔离材料层及第一下电极暴露的上表面，淀积第二电热隔离材料层；

步骤2：在第二电热隔离材料层上，旋涂掩模层并光刻形成第二掩模开槽；然后，在第二掩开槽及第二电热隔离材料层暴露的上表面，淀积第二电极材料层，并去除第二掩模开槽，剥离形成第二下电极；其次，在第二电热隔离材料层及第二下电极暴露的上表面，淀积第三电热隔离材料层；

步骤3：在第三电热隔离材料层上旋涂掩模层，并光刻形成第三掩开槽；然后，在第三掩开槽及第三电热隔离材料层暴露的上表面淀积第三电极材料层，并去除第三掩模开槽，剥离形成第三下电极；其次，在第三电热隔离材料层及第三下电极暴露的上表面，淀积第四电热隔离材料层；

步骤4：在第四电热隔离材料层上，旋涂掩模层并光刻形成第四掩模开槽；然后，在第四掩开槽及第四电热隔离材料层暴露的上表面，依次淀积存储材料层及第四电极材料层，并去除第四掩模开槽，剥离形成条形存储区及垂直叠加在条形存储区正上方的上电极；其次，在第四电热隔离材料层及上电极暴露的上表面，淀积第五电热隔离材料层；

步骤5：在第五电热隔离材料层上旋涂掩模层，并光刻形成第五掩模开槽；然后，通过第五掩模开槽，在第五、第四、第三、第二电热隔离材料层上，各开孔至第一、第二、第三下电极的上表面；其次，在第五掩模开槽及第一、第二、第三下电极暴露的上表面，淀积第五电极材料层，并去除第五掩模开槽并剥离形成三个第一测试电极；

步骤6：在第五电热隔离材料层及三个第一测试电极暴露的上表面上旋涂掩模层，并光刻形成第六掩模开槽；然后，通过第六掩模开槽，在第五电热隔离材料层开孔至上电极的上表面；其次，在第六掩模开槽及上电极暴露的上表面，淀积第六电极材料层，并去除第六掩模开槽并剥离形成三个第二测试电极。

2.根据权利要求1所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中衬底的材料为硅、氮化镓、蓝宝石、碳化硅或玻璃。

3.根据权利要求1所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中掩模层、第一、第二、第三、第四和第五掩模开槽的材料是SU-8光刻胶、ZEP光刻胶、HSQ光刻胶、PMMA光刻胶、AZ6130光刻胶、S9912光刻胶和L300光刻胶。

4.根据权利要求3所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中掩模层、第一、第二、第三、第四和第五掩模开槽是通过光学光刻、激光直写、电子束曝光和离子束直写中的任意一种或几种方法的组合制备。

5.根据权利要求1所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中第一、第二、第三、第四和第五电热隔离材料层的材料是氮氧化合物、氮化物或氧化物中的任意一种或几种的组合。

6.根据权利要求5所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中第一、第二、第三、第四和第五电热隔离材料层是通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法或金属有机物热分解法中的一种制备。

7.根据权利要求1所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中第一、第二和第三下电极、上电极、第一测试电极和第二测试电极的材料是钨、氮化钛、镍、铝、钛、金、银、铜、铂金属单质、及其氧化物中的一种或几种的组合。

8.根据权利要求7所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中第一、第二和第三下电极、上电极、第一测试电极和第二测试电极是通过旋涂法、化学气相淀积法、原子层沉积法、金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。

9.根据权利要求1所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中条形存储区的材料是GeSbTe系列合金，或者是由GeSbTe系列合金、TiO₂、Ta₂O₅、CeO₂、HfO_x、NiO、AlO_x、TiO_x、TaO_x组成的二层或三层叠层。

10.根据权利要求9所述的多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，其中条形存储区通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法或金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。