[发明专利]一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺在审
| 申请号： | 201410276251.2 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104022018A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安;翟继鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 徐鹏飞;胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 等离子 损伤 修复 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于：其包括以下步骤：
1)取经过等离子干法刻蚀后作业过的薄膜产品片；
2)用酸溶液浸泡5～10分钟；
3)将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；
4)再将产品片放入通氢气的高温炉子中，加热到1000～1110℃，退火6～12小时；
5)最后将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤1)中的等离子干法刻蚀时，上电极功率：600W～500W。
3.如权利要求1或2所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤2)中采用50：1的氢氟酸或缓冲氢氟酸溶液的任一种。
4.如权利要求1所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤4)中通入氢气的流量为6～10SCCM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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