[发明专利]一种低温反应烧结碳化硅的制备方法

权利要求书

1.一种低温反应烧结碳化硅的制备方法，其特征在于依次包括以下步骤：

步骤一，将碳粉、碳化硅粉和适量的成型剂混合均匀后形成混合粉末，模压成形后，得到陶瓷素坯； 

步骤二，将金属铝和硅铝合金粉末分别在模具中压制成形得到铝压坯和硅铝合金压坯； 

步骤三，将金属铝坯、陶瓷素坯和硅铝合金压坯顺次叠放在一起，在真空炉中保温烧结，得到反应烧结碳化硅。

2.根据权利1所述的一种低温反应烧结碳化硅的制备方法，其特征在于：所述成型剂为酚醛树脂、聚乙二醇、羟甲基纤维素或石蜡，成型剂在混合粉末中的质量百分比为5~15%，碳粉在混合粉末中的质量百分比为3~15%，其余为碳化硅粉；所述金属铝坯质量是素坯中碳粉质量的1~4 倍；所述硅铝合金压坯质量是素坯中碳粉质量的2~5 倍，硅铝合金的化学成分为：硅的质量百分比为60~75%，其余为铝；所述的高温真空条件分别为：烧结温度范围为1200~1350℃，保温时间为1~3h，烧结过程中真空度不低于5×10^-1Pa。