[发明专利]半金属态导电亚氧化钛纳米管阵列的制备方法在审
申请号: | 201410277287.2 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN104032355A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 桑商斌;刘颖颖;伍秋美;钟文洁;刘文明 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;B82Y40/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 魏娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 导电 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.半金属态导电亚氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、以钛片为阳极,铂电极为阴极,含氟化铵的水/乙二醇体系为电解液,在20~80V的电压下进行阳极氧化处理,氧化完成后,从阳极超声剥离出氧化所得的纳米二氧化钛膜;
步骤二、重复步骤一的操作对所得纳米二氧化钛膜进一步进行阳极氧化,得到二氧化钛纳米管阵列;
步骤三、将步骤二所得二氧化钛纳米管阵列在300~500℃的高温下进行热处理后,以热处理后的二氧化钛纳米管阵列为工作电极,Pt电极为对电极,浓度在0.25~1.00mol/L之间的AlCl3的水溶液为电解液,在电流密度为0.1~1mA/cm2的条件下,进行电化学阴极极化处理,即得半金属态导电氧化钛纳米管阵列。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,阴极极化处理的时间为5~30min。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,阳极氧化处理的时间为1~4h。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,进行阳极氧化处理的电压为40~80V。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,热处理的温度为400~500℃。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,热处理的时间为1~3h。
7.如权利要求1~6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述的含氟化铵的水/乙二醇体系中水和乙二醇的体积比例为3~5:95~97;氟化铵的浓度为0.2~0.4wt%。
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