[发明专利]一种市电检测装置及检测方法

权利要求书

1.一种基于市电检测装置的市电检测方法，其特征在于，所述市电检测装置包括检测电路和微处理器MCU，所述检测电路包括二极管D1，电阻R1、R2，电阻R3、R4，比较器；在市电输入N线上通过所述二极管D1取信号，二极管D1半波整形后经电阻R1、R2分压取得V1后送入比较器第一输入端，比较器第二输入端为设定比较电压V2，所述V2为R3与R4的分压，比较器输出端的输出信号送给MCU的外部中断口；高电平VCC与L线相连，N线取信号后经二极管D1、电阻R1、R2后流入电源地，高电平VCC经电阻R3、R4后流入电源地；当V1>V2时则比较器输出低电平，反之输出高电平；

所述市电检测方法包括以下步骤：

识别连续两次下降沿端口中断的时间间隔，即当前下降沿中断产生到下次下降沿产生的时间间隔，为市电周期T，则半波周期为T/2；市电频率F则为F＝1/T；

识别当前下降沿中断与下次上升沿中断的时间间隔，即为比较器输入电压高于比较器设定电压的时间t_K；由于市电正弦信号的对称性，则上升沿中断产生后延迟△t时间为市电零点时间，则△t＝(T/2-t_K)/2；从而获取零点信号时间；

比较器输出电平翻转点时刻t_R＝(T/2-t_K)/2，翻转时刻时比较器输入电压相等；则V1＝V2；V1＝Vm*sin(2πωT)*R2/(R1+R2)，

即Vm＝V2/[sin(2πωT)*R2/(R1+R2)]，计算出当前市电电压幅值。

2.根据权利要求1所述的基于市电检测装置的市电检测方法，其特征在于，所述检测电路还包括电阻R5，电阻R5为上拉电阻，电阻R5连接在所述比较器输出端与高电平VCC之间。

3.根据权利要求1所述的基于市电检测装置的市电检测方法，其特征在于，所述检测电路还包括电阻R6和电容C1，所述比较器输出端的输出信号经由电阻R6和电容C1滤波后送给MCU的外部中断口。

4.根据权利要求1所述的基于市电检测装置的市电检测方法，其特征在于，所述V2＝VCC*R3/(R3+R4)，则

Vm＝VCC*R3/(R3+R4)/[sin(2πωT)*R2/(R1+R2)]。