[发明专利]可变电阻存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储装置，包括：

多个存储单元，所述存储单元中的每一个包括多个数据储存区，

其中所述多个数据储存区彼此具有不同的宽度。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储装置，其中，所述多个数据储存区中的每一个包括：

第一电极；

多个数据储存单元，形成在所述第一电极上；以及

第二电极，形成在所述多个数据储存单元上。

3.如权利要求2所述的可变电阻存储装置，其中，所述多个数据储存单元彼此具有不同的高度。

4.如权利要求3所述的可变电阻存储装置，其中，所述多个数据储存单元中的每一个包括相变材料。

5.如权利要求2所述的可变电阻存储装置，其中，所述第二电极彼此具有不同的高度。

6.一种可变电阻存储装置，包括：

多个存储单元，

其中所述多个存储单元中的任何一个包括：

开关器件，形成在半导体衬底上；

多个第一电极，形成在所述开关器件上并且彼此具有不同的高度；

多个数据储存单元，形成在相应的第一电极上并且彼此具有不同的高度；以及

多个第二电极，形成在相应的数据储存单元上并且彼此具有不同的高度。

7.如权利要求6所述的可变电阻存储装置，其中，所述多个数据储存单元被形成为彼此具有不同的宽度。

8.如权利要求7所述的可变电阻存储装置，其中，所述数据储存单元中的每一个都由相变材料形成。

9.一种可变电阻存储装置，包括：

包括多个存储单元的存储单元阵列，所述存储单元中的每一个都包括彼此具有不同宽度的多个数据储存区；以及

控制电路，适于根据从外部输入的命令来控制将数据输入至所述存储单元中的每一个或将数据从所述存储单元中的每一个输出。

10.一种制造可变电阻存储装置的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成开关器件；

在所述开关器件上形成绝缘层；

通过刻蚀所述绝缘层来形成对应于多个数据储存区的多个孔，所述多个孔彼此具有不同的宽度并且暴露出所述开关器件的上表面；

在相应的孔的底部形成多个第一电极；

在相应的第一电极上形成多个数据储存单元；以及

在相应的数据储存单元上形成多个第二电极。