[发明专利]用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法在审
申请号: | 201410277762.6 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104229727A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | K·埃利安 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁体 半导体 组件 预模制 及其 生产 方法 | ||
1.一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法,所述方法包括:
·通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件是三维元件,其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述可永磁化材料包括电传导材料。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括在所述载体结构与所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间形成电绝缘层。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括单一化所述多个可永磁化元件。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件被形成于所述载体结构的第一主表面上并且包括经过所述载体结构向所述载体结构的相反的第二主表面上延伸的部分。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述多个可永磁化元件处布置至少一个半导体芯片。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:
封装在所述多个可永磁化元件处布置的所述至少一个半导体芯片。
12.一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列,所述预模制阵列包括:
·载体结构,以及
·通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件,
其中所述多个可永磁化元件被形成于所述载体结构的无传感器区域中。
13.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件是三维元件,其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
14.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述载体结构是电传导载体结构。
15.根据权利要求14所述的预模制阵列,还包括在所述电传导载体结构与可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层。
16.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述可永磁化材料是由电传导和电绝缘构成的组中的一种。
17.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述可永磁化材料是电绝缘的。
18.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述可永磁化材料是电传导的。
19.根据权利要求12所述的预模制阵列,其中所述多个可永磁化元件中的所述至少一个可永磁化元件包括在所述载体结构后面接合的底切。
20.一种制造磁体半导体组件组的方法,所述方法包括:
·在载体结构上模制可永磁化材料的多个可永磁化元件,
·在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片。
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